[发明专利]一种MoS2/MoO2异质结的制备方法在审
| 申请号： | 201811037524.2 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN109207957A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 陈波;韩燕;薛林;李向前 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30 |
| 代理公司： | 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 | 代理人： | 任林芳 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 异质结 制备 过渡金属硫族化合物 纳米光电子材料 纳米光电子器件 化学气相反应 制备技术领域 定位机械 载气流量 前驱体 转移法 衬底 二维 管式 炉温 蒸汽 科学研究 合成 引入 制作 | ||
【权利要求书】：
1.一种MoS2/MoO2异质结的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
第一步，在石英管管式炉中，将装有S粉的陶瓷舟放置于气路下游，装有MoO3粉末的陶瓷舟放置于气路上游，SiO2/Si衬底置于石英管管式炉温区中心位置；
第二步，将石英管内的空气抽除，充入载气，直到石英管内的压强恢复至大气压，再将石英管内的气体抽除，再次充入载气，使石英管内的压强恢复到大气压；
第三步，调节载气流量为20-30sccm，加热管式炉，使S蒸汽和MoO3蒸汽反应，在SiO2/Si衬底上合成MoS2/MoO2异质结。
2.根据权利要求1所述的一种MoS2/MoO2异质结的制备方法，其特征在于：第一步中，S粉和MoO3粉末的质量比为100:3，到管式炉中心的距离分别为17cm和10cm，纯度均≥99.99%。
3.根据权利要求1所述的一种MoS2/MoO2异质结的制备方法，其特征在于：第二步中，载气为氮气或氩气。
4.根据权利要求3所述的一种MoS2/MoO2异质结的制备方法，其特征在于：第二步中，载气为氩气，纯度≥99.99%。
5.根据权利要求1所述的一种MoS2/MoO2异质结的制备方法，其特征在于：第三步中，S蒸汽和MoO3蒸汽反应温度为820℃，管式炉的升温速率为20℃/min，S蒸汽与MoO3蒸汽的反应持续时间为20 min，载气流量为20 sccm。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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