[发明专利]发光二极管封装结构

权利要求书

1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构包括：

一基板，其具有一固晶区域；以及

一发光单元阵列，其设置于所述固晶区域，其中，所述发光单元阵列包括用以产生第一光束的多个非二次激发的第一发光单元以及用以产生第二光束的多个非二次激发的第二发光单元，多个所述第一发光单元所产生的第一光束与多个所述第二发光单元所产生的第二光束相互混光，以产生白光；

其中，每一所述第一发光单元包括一第一发光芯片以及覆盖所述第一发光芯片的一第一波长转换层，每一所述第二发光单元包括一第二发光芯片以及覆盖所述第二发光芯片的一第二波长转换层，所述第一光束至少包含通过激发所述第一波长转换层而产生的一第一受激发光，所述第二光束至少包含通过激发所述第二波长转换层而产生的一第二受激发光，所述第一受激发光的峰值波长与所述第二受激发光的峰值波长之间的差值至少30nm；

其中，所述第一受激发光的峰值波长介于580nm至675nm，所述第二受激发光的峰值波长介于520nm至565nm，所述第一发光单元的数量与所述第二发光单元的数量之间的比值是介于0.5至1之间，以使所述白光的显色指数为80。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一发光芯片与所述第二发光芯片都用以产生一激发光，所述激发光为蓝光或者紫光，其中，所述第一波长转换层为红色荧光粉层或者橙色荧光粉层，所述第二波长转换层为绿色荧光粉层，所述激发光对所述第二波长转换层的透射率是介于0％至16％。

3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光单元阵列还进一步包括用以产生第三光束的多个非二次激发的第三发光单元，每一所述第三发光单元包括一第三发光芯片以及覆盖所述第三发光芯片的一第三波长转换层，所述第三光束包含通过激发所述第三波长转换层而产生的一第三受激发光，所述第三受激发光的峰值波长介于440nm至480nm之间，所述第一发光芯片、所述第二发光芯片以及所述第三发光芯片都用以产生一激发光，所述激发光为紫光，其中，在所述发光单元阵列中，所述第三发光单元的数量小于所述第一发光单元的数量以及小于所述第二发光单元的数量。

4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一波长转换层为红色荧光粉层或者橙色荧光粉层，所述第二波长转换层为绿色荧光粉层，所述激发光对所述第二波长转换层的透射率介于0％至8％。

5.如权利要求1或3所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光单元阵列还进一步包括多个用以产生第四光束的第四发光单元，每一所述第四发光单元包括一第四发光芯片以及一覆盖所述第四发光芯片的第四波长转换层，其中，所述第一波长转换层为红色荧光粉层，所述第四波长转换层为橙色荧光粉层。

6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一波长转换层覆盖所述第一发光芯片的顶面而裸露所述第一发光芯片的侧表面。

7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一波长转换层完全覆盖所述第一发光芯片。

8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构还进一步包括环绕所述发光单元阵列的一挡墙以及一被所述挡墙限位的透光保护层，所述固晶区域与所述发光单元阵列被所述透光保护层所覆盖。