[发明专利]管芯封环及其制造方法

说明书

本发明公开一种管芯封环及其制造方法，其中上述管芯封环包括基底、介电层与多个导体层。介电层设置在基底上。导体层堆叠在基底上，且位于介电层中。每个导体层包括第一导体部与第二导体部。第二导体部设置在第一导体部上。第一导体部的宽度小于第二导体部的宽度。在第一导体部的侧壁与介电层之间具有第一气隙。在第二导体部的侧壁与介电层之间具有第二气隙。上述管芯封环及其制造方法可有效地防止在进行管芯切割时所产生的裂缝对电路结构造成损害。

技术领域

本发明涉及一种半导体结构及其制造方法，且特别是涉及一种管芯封环及其制造方法。

背景技术

随着科技日新月异，集成电路(integrated circuits，IC)元件已广泛地应用于我们日常生活当中。一般而言，集成电路的生产主要分为三个阶段：硅晶片的制造、集成电路的制作及集成电路的封装(package)等。以集成电路的封装而言，其首要步骤就是要先进行管芯切割(die saw)。

然而，在沿着切割道区域进行管芯切割时，过大的切割应力会在管芯中产生裂缝(crack)。当裂缝持续向管芯内部延伸，裂缝会穿过管芯封环而对电路结构造成损害。

发明内容

本发明提供一种管芯封环及其制造方法，其可有效地防止在进行管芯切割时所产生的裂缝对电路结构造成损害。

本发明提出一种管芯封环，包括基底、介电层与多个导体层。介电层设置在基底上。导体层堆叠在基底上，且位于介电层中。每个导体层包括第一导体部与第二导体部。第二导体部设置在第一导体部上。第一导体部的宽度小于第二导体部的宽度。在第一导体部的侧壁与介电层之间具有第一气隙。在第二导体部的侧壁与介电层之间具有第二气隙。

依照本发明的一实施例所述，在上述管芯封环中，第一气隙与第二气隙可互不相连。

依照本发明的一实施例所述，在上述管芯封环中，介电层可为多层结构。

依照本发明的一实施例所述，在上述管芯封环中，介电层的材料例如是低介电常数材料、氧化硅、氮化硅或其组合。

依照本发明的一实施例所述，在上述管芯封环中，低介电常数材料例如是氟硅酸盐玻璃(fluorosilicate glass，FSG)、黑金刚石(Black Diamond)(应用材料公司(AppliedMaterials)的注册商标)或甲基硅倍半氧烷(methyl silsesquioxane，MSQ)。

依照本发明的一实施例所述，在上述管芯封环中，在每个导体层中的第一导体部与第二导体部可为一体成型。

依照本发明的一实施例所述，在上述管芯封环中，还可包括强化层。强化层设置在第一气隙与第一导体部之间以及第二气隙与第二导体部之间。

依照本发明的一实施例所述，在上述管芯封环中，还可包括强化层。强化层设置在第一气隙与介电层之间以及第二气隙与介电层之间。

依照本发明的一实施例所述，在上述管芯封环中，还可包括第一强化层与第二强化层。第一强化层设置在第一气隙与介电层之间以及第二气隙与介电层之间。第二强化层设置在第一气隙与第一导体部之间以及第二气隙与第二导体部之间。

依照本发明的一实施例所述，在上述管芯封环中，第一强化层与第二强化层的材料例如是氮化铝(AlN)、氮化钛(TiN)或氮化钽(TaN)。

本发明提出一种管芯封环的制造方法，包括以下步骤。在基底上形成介电层。在介电层中形成堆叠在基底上的多个导体层。每个导体层包括第一导体部与第二导体部。第二导体部设置在第一导体部上。第一导体部的宽度小于第二导体部的宽度。在第一导体部的侧壁与介电层之间形成第一气隙。在第二导体部的侧壁与介电层之间形成第二气隙。

依照本发明的一实施例所述，在上述管芯封环的制造方法中，第一气隙与第二气隙可互不相连。