[发明专利]管芯封环及其制造方法

权利要求书

1.一种管芯封环，其特征在于，包括：

基底；

介电层，设置在所述基底上；

多个导体层，堆叠在所述基底上，且位于所述介电层中，其中每个导体层包括：

第一导体部；以及

第二导体部，设置在所述第一导体部上，其中所述第一导体部的宽度小于所述第二导体部的宽度，其中

在所述第一导体部的侧壁与所述介电层之间具有第一气隙，且

在所述第二导体部的侧壁与所述介电层之间具有第二气隙；以及

第一强化层，设置在所述第一气隙与所述介电层之间以及所述第二气隙与所述介电层之间，其中

所述第一气隙设置在第一强化层与所述第一导体部之间，

所述第二气隙设置在第一强化层与所述第二导体部之间，且

部分所述第一强化层设置在所述第一导体部的底面的正下方，其中所述第一强化层的材料包括氮化铝、氮化钛或氮化钽。

2.根据权利要求1所述的管芯封环，其特征在于，所述第一气隙与所述第二气隙互不相连。

3.根据权利要求1所述的管芯封环，其特征在于，所述介电层包括多层结构。

4.根据权利要求1所述的管芯封环，其特征在于，所述介电层的材料包括低介电常数材料、氧化硅、氮化硅或其组合。

5.根据权利要求4所述的管芯封环，其特征在于，所述低介电常数材料包括氟硅酸盐玻璃、黑金刚石或甲基硅倍半氧烷。

6.根据权利要求1所述的管芯封环，其特征在于，在每个导体层中的所述第一导体部与所述第二导体部为一体成型。

7.根据权利要求1所述的管芯封环，其特征在于，还包括：

第二强化层，设置在所述第一气隙与所述第一导体部之间以及所述第二气隙与所述第二导体部之间。

8.根据权利要求7所述的管芯封环，其特征在于，所述第二强化层的材料包括氮化铝、氮化钛或氮化钽。

9.一种管芯封环的制造方法，其特征在于，包括：

在基底上形成介电层；

在所述介电层中形成堆叠在所述基底上的多个导体层，其中每个导体层包括：

第一导体部；以及

第二导体部，设置在所述第一导体部上，其中所述第一导体部的宽度小于所述第二导体部的宽度；

在所述第一导体部的侧壁与所述介电层之间形成第一气隙；

在所述第二导体部的侧壁与所述介电层之间形成第二气隙；以及

在所述第一气隙与所述介电层之间以及所述第二气隙与所述介电层之间设置第一强化层，其中

所述第一气隙设置在第一强化层与所述第一导体部之间，

所述第二气隙设置在第一强化层与所述第二导体部之间，且

部分所述第一强化层设置在所述第一导体部的底面的正下方，其中所述第一强化层的材料包括氮化铝、氮化钛或氮化钽。

10.根据权利要求9所述的管芯封环的制造方法，其特征在于，所述第一气隙与所述第二气隙互不相连。

11.根据权利要求9所述的管芯封环的制造方法，其特征在于，每个导体层中的所述第一导体部与所述第二导体部的形成方法包括双重金属镶嵌法。

12.根据权利要求9所述的管芯封环的制造方法，其特征在于，所述第一气隙与所述第二气隙的形成方法包括：

在所述第一导体部的侧壁与所述介电层之间形成第一热降解聚合物牺牲层；

在所述第二导体部的侧壁与所述介电层之间形成第二热降解聚合物牺牲层；以及

进行热制作工艺，以移除所述第一热降解聚合物牺牲层与所述第二热降解聚合物牺牲层。