[发明专利]FINFET器件、半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

形成在隔离区域上方延伸的鳍以及所述鳍上方的介电层；

形成牺牲栅极，所述牺牲栅极包括在所述介电层上方形成的栅电极层；

在所述牺牲栅极的侧壁上选择性地沉积第一介电材料，以在所述牺牲栅极的侧壁上形成间隔件，其中，所述第一介电材料不沉积在所述牺牲栅极的顶面上方；

使用所述牺牲栅极和所述间隔件作为组合掩模来图案化所述鳍，以在所述鳍中形成凹槽；以及

在所述凹槽中形成外延源极/漏极区,

在所述沉积第一介电材料之前，对所述牺牲栅极上方的图案化掩模以及对未被所述牺牲栅极覆盖的所述介电层实施氟化工艺。

2.根据权利要求1所述的用于形成半导体器件的方法，其中，在所述鳍上方形成所述牺牲栅极包括：

在所述鳍上方形成栅电极层；

在所述栅电极层上方形成图案化掩模；以及

将所述图案化掩模的图案转印至所述栅电极层。

3.根据权利要求2所述的用于形成半导体器件的方法，所述间隔件具有在1nm与6nm之间的宽度。

4.根据权利要求3所述的用于形成半导体器件的方法，还包括：

在对所述图案化掩模实施所述氟化工艺之前，在所述图案化掩模的侧壁和顶面上形成第二介电材料。

5.根据权利要求4所述的用于形成半导体器件的方法，还包括：

在对所述图案化掩模实施所述氟化工艺之后，去除所述第二介电材料。

6.根据权利要求4所述的用于形成半导体器件的方法，其中，在所述图案化掩模的侧壁和顶面上形成所述第二介电材料还包括在所述牺牲栅极的侧壁上形成所述第二介电材料。

7.根据权利要求4所述的用于形成半导体器件的方法，其中，在所述图案化掩模的侧壁和顶面上形成所述第二介电材料包括选择性地将所述第二介电材料沉积在所述图案化掩模的侧壁和顶面上。

8.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

使得隔离区域凹陷以暴露半导体鳍的侧壁；

在所述半导体鳍上方形成介电层以及位于所述介电层上方的栅电极层；

在所述栅电极层上方形成图案化掩模；

去除由所述图案化掩模暴露的所述栅电极层的部分，以在所述半导体鳍上方形成牺牲栅极，所述牺牲栅极包括在所述栅电极层下方的所述介电层；

对所述图案化掩模实施氟化工艺以形成氟化图案化掩模、以及对未被所述牺牲栅极覆盖的所述介电层实施氟化工艺；

在所述牺牲栅极的侧壁上选择性地沉积第一介电材料，以在所述牺牲栅极的侧壁上形成间隔件；

使用所述氟化图案化掩模、所述牺牲栅极和所述间隔件作为组合掩模来蚀刻所述半导体鳍，以在所述半导体鳍中形成凹槽；以及

在所述凹槽中沉积半导体材料。

9.根据权利要求8所述的用于形成半导体器件的方法，还包括：

在对所述图案化掩模实施所述氟化工艺之前，在所述图案化掩模的侧壁和顶面上形成第二介电材料。

10.根据权利要求9所述的用于形成半导体器件的方法，其中，所述第二介电材料包括氧化铝。

11.根据权利要求9所述的用于形成半导体器件的方法，所述间隔件具有在1nm与6nm之间的宽度。

12.根据权利要求9所述的用于形成半导体器件的方法，还包括：

在所述半导体鳍上方形成所述牺牲栅极之后，在所述介电层的暴露部分上方形成所述第二介电材料。

13.根据权利要求8所述的用于形成半导体器件的方法，其中，所述图案化掩模包括氧化物材料。