[发明专利]一种背板及其制作方法、检测装置

说明书

本发明公开一种背板及其制作方法、检测装置，涉及X射线衍射技术领域，为解决采用现有技术制作的XRD产品中的光电转换器件，具有较高的漏电流，影响XRD产品的生产良率的问题。所述背板的制作方法包括：在衬底基板上制作薄膜晶体管阵列层；在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧制作有机物层；对所述有机物层进行构图形成第一过孔，所述第一过孔能够将所述薄膜晶体管阵列层中的信号传输层暴露出来；在所述第一过孔中沉积形成光电转换器件。本发明提供的背板用于将接收到的光信号转换为电信号并传输至芯片进行分析。

技术领域

本发明涉及X射线衍射技术领域，尤其涉及一种背板及其制作方法、检测装置。

背景技术

X射线衍射(英文：X-ray diffraction，以下简称XRD)是一种通过对材料进行X射线衍射，分析其衍射图谱，获得材料的成分、材料内部原子或分子的结构或形态的技术。随着XRD技术的不断发展，应用在各个领域的XRD 产品越来越多，现有的XRD产品一般是通过X射线穿过待检测的物体照射到XRD的闪烁体上，并使得闪烁体发光产生光信号，光信号经光电转换器件转换为电信号后，传输至芯片，芯片通过分析接收到的电信号得到待检测的物体的影像。

现有技术中，在制作XRD产品时，一般是先采用干刻工艺制作其包括的光电转换器件，然后再在光电转换器件上制作树脂层，但是这种制作光电转换器件的方式容易在光电转换器件的侧壁附着一些刻蚀过程中产生的副产物，该副产物容易增加光电转换器件的漏电流，从而导致降低XRD产品的良品率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种背板及其制作方法、检测装置，用于解决采用现有技术制作的XRD产品中的光电转换器件，具有较高的漏电流，影响XRD 产品的生产良率的问题。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

本发明的第一方面提供一种背板的制作方法，包括：

在衬底基板上制作薄膜晶体管阵列层；

在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧制作有机物层；

对所述有机物层进行构图形成第一过孔，所述第一过孔能够将所述薄膜晶体管阵列层中的信号传输层暴露出来；

在所述第一过孔中沉积形成光电转换器件。

进一步地，当所述光电转换器件包括光电二极管时，所述在所述第一过孔中制作光电转换器件的步骤具体包括：

在所述有机物层背向所述衬底基板的一侧沉积形成N型半导体薄膜，对所述N型半导体薄膜进行构图，得到位于所述第一过孔中的N型半导体层；

在所述N型半导体层背向所述衬底基板的一侧沉积形成本征半导体薄膜，对所述本征半导体薄膜进行构图，得到位于所述第一过孔中的本征半导体层；

在所述本征半导体层背向所述衬底基板的一侧沉积形成P型半导体薄膜，对所述P型半导体薄膜进行构图，得到位于所述第一过孔中的P型半导体层。

进一步地，所述在衬底基板上制作薄膜晶体管阵列层的步骤具体包括：

在所述衬底基板上制作栅极层；

在所述栅极层背向所述衬底基板的一侧沉积覆盖所述栅极层的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层背向所述衬底基板的一侧制作半导体层，所述半导体层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极层在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；

在所述半导体层背向所述衬底基板的一侧制作源极层和漏极层，所述源极层和所述漏极层相互独立，且均覆盖部分所述半导体层；

制作第一钝化层，所述第一钝化层完全覆盖所述源极层、所述漏极层以及所述半导体层的暴露部分；