[发明专利]一种背板及其制作方法、检测装置

权利要求书

1.一种背板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上制作薄膜晶体管阵列层；

在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧制作有机物层；

对所述有机物层进行构图形成第一过孔，所述第一过孔能够将所述薄膜晶体管阵列层中的信号传输层暴露出来；

在所述第一过孔中沉积形成光电转换器件，所述光电转换器件的侧壁与所述第一过孔的孔壁完全接触；

所述在衬底基板上制作薄膜晶体管阵列层的步骤具体包括：

在所述衬底基板上制作栅极层；

在所述栅极层背向所述衬底基板的一侧沉积覆盖所述栅极层的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层背向所述衬底基板的一侧制作半导体层，所述半导体层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极层在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；

在所述半导体层背向所述衬底基板的一侧制作源极层和漏极层，所述源极层和所述漏极层相互独立，且均覆盖部分所述半导体层；

制作第一钝化层，所述第一钝化层完全覆盖所述源极层、所述漏极层以及所述半导体层的暴露部分；

对所述第一钝化层进行构图形成第二过孔，所述第二过孔能够将所述漏极层的至少部分暴露出来；

制作信号传输层，所述信号传输层包括填充在所述第二过孔中的第一部分和位于所述第一钝化层背向所述衬底基板的一侧表面的第二部分；所述第二部分与所述光电转换器件接触；

在制作所述有机物层之前，所述制作方法还包括：

在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧制作缓冲层；所述缓冲层在所述衬底基板上的正投影，覆盖所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影；

所述在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧制作有机物层的步骤具体包括：

在所述缓冲层背向所述衬底基板的一侧制作有机物层。

2.根据权利要求1所述的背板的制作方法，其特征在于，当所述光电转换器件包括光电二极管时，在所述第一过孔中制作光电转换器件的步骤具体包括：

在所述有机物层背向所述衬底基板的一侧沉积形成N型半导体薄膜，对所述N型半导体薄膜进行构图，得到位于所述第一过孔中的N型半导体层；

在所述N型半导体层背向所述衬底基板的一侧沉积形成本征半导体薄膜，对所述本征半导体薄膜进行构图，得到位于所述第一过孔中的本征半导体层；

在所述本征半导体层背向所述衬底基板的一侧沉积形成P型半导体薄膜，对所述P型半导体薄膜进行构图，得到位于所述第一过孔中的P型半导体层。

3.根据权利要求1或2所述的背板的制作方法，其特征在于，在制作完所述光电转换器件之后，所述制作方法还包括：

在所述光电转换器件背向所述衬底基板的一侧表面制作透明导电层；

制作第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述有机物层和所述透明导电层；

对所述第二钝化层进行构图形成第三过孔，所述第三过孔能够将所述透明导电层暴露出来；

制作金属层，所述金属层填充所述第三过孔，并覆盖至少部分所述第二钝化层；

在所述金属层背向所述衬底基板的一侧制作第二绝缘层。