[发明专利]制造系统、半导体工艺机台以及电弧放电保护方法有效
| 申请号: | 201810851276.9 | 申请日: | 2018-07-30 |
| 公开(公告)号: | CN109755090B | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
| 发明(设计)人: | 蔡文凯;梁文哲;李肇耿;许正杰;张致国;李幸璁;吴丰光;刘旭水 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制造 系统 半导体 工艺 机台 以及 电弧 放电 保护 方法 | ||
一种制造系统,包括半导体工艺机台、计算装置以及故障检测与分类系统。半导体工艺机台包括电极以及射频感测器以执行半导体制造程序来制造集成电路。射频感测器无线地感测射频信号的强度。计算装置基于所感测到的射频信号的强度提取统计特征值。故障检测与分类系统根据所提取的统计特征值确定射频信号的强度是否符合阈值或阈值范围。当所感测的射频信号的强度超过阈值或阈值范围时,故障检测与分类系统通知半导体工艺机台调整射频信号,或停止半导体工艺机台以检查部件损坏。
技术领域
本公开涉及集成电路制造技术,特别是具有关于电弧放电保护方法的集成电路制造系统。
背景技术
集成电路(ICs)变得越来越重要。数百万的人使用着使用了集成电路的应用,例如手机、智能手机、平板电脑、笔记本电脑、携带型电脑、PDAs、无线电子邮件终端、MP3播放器和影片拨放器、携带式无线网络浏览器等等。用于信号控制以及信号处理的集成电路越来越多地包括强大且高效的板上数据存储(on-board data storage)以及逻辑电路。在集成电路的演进过程中,当几何尺寸(即用工艺可作出的最小部件(或线路))下降时,功能密度(即每一芯片区域的相连元件数量)通常都会增加。此微缩过程通过增加生产效率及降低相关成本提供了优势。
各种半导体工艺已被使用来制造集成电路,并且在半导体工艺中可能需要不同强度的射频(RF)信号,尤其是蚀刻工艺以及化学气相沉积(CVD)工艺。虽然现有的蚀刻以及化学气相沉积的系统和工艺已经通常足以达到其预期目的,但它们在所有方面上并不完全令人满意。
发明内容
本公开提供了一种制造系统。制造系统包括一半导体工艺机台。此半导体工艺机台包括至少一电极,被配置以在一半导体工艺的期间中从一射频信号产生器接收一射频信号;以及一射频感测器,被配置以无线地感测射频信号的强度;此制造系统包括一计算装置,被配置以基于所感测到的射频信号的强度来提取多个统计特征值;以及一故障检测与分类系统,被配置以根据所提取的统计特征值确定所感测到的射频信号的强度是否超过一阈值或一阈值范围,其中当所感测到的射频信号的强度超过阈值或阈值范围时,故障检测与分类系统通知半导体工艺机台调整射频信号,或停止半导体工艺机台以检查部件损坏。
本公开提供了一种半导体工艺机台。此半导体工艺机台包括一射频信号产生器,被配置以产生一射频信号;至少一电极,被配置以接收射频信号来执行一半导体工艺;以及至少一射频感测器,与电极以及射频信号产生器分开地被配置,以无线地感测射频信号的强度,其中所感测到的射频信号的强度用于通过一计算装置提取多个统计特征值,并且统计特征值被传输至一故障检测与分类系统。
本公开提供了一种电弧放电保护方法。此电弧放电保护方法包括通过一射频感测器无线地感测从一射频信号产生器传输至一半导体工艺机台的至少一电极的一射频信号的强度,其中射频感测器是与射频信号产生器以及半导体工艺机台分开设置;基于所感测到的射频信号的强度,提取多个统计特征值;根据所提取的统计特征值确定所感测到的射频信号的强度是否超过一阈值或一阈值范围;以及当射频信号的强度超过阈值或阈值范围时,调整射频信号。
附图说明
本公开的观点从后续实施例以及附图可以优选理解。须知示意图为范例,并且不同特征并无示意。不同特征的尺寸可能任意增加或减少以清楚论述。
图1A为根据本公开实施例的集成电路制造系统的示意图。
图1B为根据本公开实施例的故障检测与分类(FDC)系统的示意图。
图2为根据本公开实施例的制造系统的示意图。
图3为根据本公开实施例的用以感测射频信号的强度射频感测器的示意图。
图4为根据本公开实施例的通过射频感测器所感测的射频信号的强度。
图5为根据本公开实施例的的电弧放电保护方法的流程图。
附图标记说明:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810851276.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:等离子体腔室及半导体加工设备
- 下一篇:等离子体处理装置





