[发明专利]制造系统、半导体工艺机台以及电弧放电保护方法

权利要求书

1.一种制造系统，包括：

一半导体工艺机台，包括：

至少一电极，被配置以在一半导体工艺的期间中从一射频信号产生器接收一射频信号；以及

一射频感测器，被配置以无线地感测所述射频信号的强度，其中所述射频感测器包括一电路板、配置在所述电路板的中心部分的一同轴连接器以及一金属线圈，以及所述同轴连接器被配置在所述电路板上的所述金属线圈包围并连接所述金属线圈；

一计算装置，通过所述同轴连接器和一同轴电缆连接到所述射频感测器，被配置以基于所感测到的所述射频信号的强度使用一采样率来提取多个统计特征值；以及

一故障检测与分类系统，被配置以根据所提取的所述统计特征值，确定所感测到的所述射频信号的强度是否超过一阈值或一阈值范围，其中当所感测到的所述射频信号的强度超过所述阈值或所述阈值范围时，所述故障检测与分类系统通知所述半导体工艺机台调整所述射频信号，或停止所述半导体工艺机台以检查部件损坏，

其中当所述采样率增加时，在所述半导体工艺的期间中的所述阈值会降低。

2.如权利要求1所述的制造系统，其中所提取的所述统计特征值包括所述射频信号的一最大强度，所述射频信号的一强度范围以及所述射频信号的一强度标准差。

3.如权利要求1所述的制造系统，其中所述射频感测器包括一射频电流感测器，所述射频电流感测器通过电磁感应产生对应于所述射频信号的强度的一感应电流。

4.如权利要求2所述的制造系统，其中当通过所述半导体工艺机台执行一蚀刻工艺时，所述故障检测与分类系统确定所检测到的所述射频信号的强度是否大于所述阈值。

5.如权利要求2所述的制造系统，其中当通过所述半导体工艺机台执行一化学气相沉积工艺时，所述故障检测与分类系统确定所检测到的所述射频信号的强度是否落在所述阈值范围之外。

6.如权利要求1所述的制造系统，其中所述同轴连接器被用于连接所述同轴电缆，并且所述同轴电缆被用于连接所述射频感测器与所述计算装置。

7.一种半导体工艺机台，包括：

一射频信号产生器，被配置以产生一射频信号，其中所述射频信号产生器包括；

一高频信号源，被配置以产生一高频信号；

一低频信号源，被配置以产生一低频信号；以及

一分配网络，被配置在所述低频信号源与所述高频信号源之间，被配置以分配所述低频信号以及所述高频信号，以产生所述射频信号，其中所述低频信号源以及所述高频信号源通过所述分配网络分离；

至少一电极，被配置以接收所述射频信号来执行一半导体工艺；以及

一第一射频感测器以及一第二射频感测器，是与所述电极以及所述射频信号产生器分开地被配置，以无线地感测所述射频信号的强度，其中所感测到的所述射频信号的强度用于通过一计算装置使用一采样率提取多个统计特征值，并且所述统计特征值被传输至一故障检测与分类系统，

其中所述第一射频感测器设置在所述分配网络和所述电极之间，以及所述第二射频感测器设置在所述分配网络和所述高频信号源之间，

其中所述故障检测与分类系统被配置以根据所提取的所述统计特征值，确定所感测到的所述射频信号的强度是否超过一阈值或超过一阈值范围外，

其中当所述采样率增加时，在所述半导体工艺的期间中的所述阈值会降低。

8.如权利要求7所述的半导体工艺机台，其中所述半导体工艺包括一蚀刻工艺或一化学气相沉积工艺。

9.如权利要求8所述的半导体工艺机台，其中所述射频信号产生器还包括：

一匹配网络，耦接在所述分配网络与所述高频信号源之间，用以减少所述高频信号的反射以产生所述射频信号。

10.如权利要求7所述的半导体工艺机台，其中所述第一射频感测器被配置以感测从所述射频信号产生器被传输至所述半导体工艺机台的所述射频信号，以及所述第二射频感测器被配置以感测从所述高频信号源被传输至所述分配网络的所述高频信号。