[发明专利]一种湿法栏具提升固定装置及方法在审
申请号: | 201810813474.6 | 申请日: | 2018-07-23 |
公开(公告)号: | CN110752165A | 公开(公告)日: | 2020-02-04 |
发明(设计)人: | 申兵兵;邹金成;王敬苗;魏民;埃里克·桑福德;库石特·索拉布吉;阮明 | 申请(专利权)人: | 东泰高科装备科技有限公司;奥塔装置公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 11002 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王莹;吴欢燕 |
地址: | 102200 北京市昌平*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片基座 提升机构 湿法 固定机构 提升固定装置 多片晶片 工作效率 固定操作 湿法设备 整体提升 浸浴槽 开口 保证 | ||
1.一种湿法栏具提升固定装置,用于将湿法栏具和晶片基座从浸浴槽提升、固定,其特征在于:包括晶片基座提升机构、晶片基座固定机构和湿法栏具提升机构,其中所述晶片基座提升机构设置在所述浸浴槽的开口上方,所述晶片基座固定机构设置在所述晶片基座提升机构上,所述湿法栏具提升机构与所述湿法栏具相连。
2.根据权利要求1所述的湿法栏具提升固定装置,其特征在于:所述湿法栏具提升机构包括固定支架、设置在所述固定支架上的第一驱动控制机构、以及与所述第一驱动控制机构相连的升降托板,其中所述第一驱动控制机构控制所述升降托板进行上下运动,所述升降托板与所述湿法栏具相连。
3.根据权利要求2所述的湿法栏具提升固定装置,其特征在于:所述升降托板包括L形连接板以及分别设置在所述L形连接板左右两侧的卡接板,在所述卡接板上设有卡槽;在所述湿法栏具的上端左右两侧分别设有卡柱,两个所述卡柱对应卡装在两个所述卡槽中。
4.根据权利要求1-3任一项所述的湿法栏具提升固定装置,其特征在于:所述晶片基座提升机构包括两个侧板、设置在两个所述侧板之间的两个提升杆、控制两个所述提升杆进行上下运动的第二驱动控制机构、以及控制两个所述提升杆沿水平向进行开合运动的第三驱动控制机构。
5.根据权利要求4所述的湿法栏具提升固定装置,其特征在于:所述晶片基座固定机构包括设置在两个所述侧板之间的两个固定杆、以及控制两个所述固定杆沿水平向进行开合运动的第四驱动控制机构。
6.根据权利要求5所述的湿法栏具提升固定装置,其特征在于:所述第二驱动控制机构包括Z轴导轨以及驱动所述提升杆沿所述Z轴导轨进行运动的第二驱动装置;所述第三驱动控制机构包括第一Y轴导轨以及驱动所述提升杆沿所述第一Y轴导轨进行运动的第三驱动装置;所述第四驱动控制机构包括第二Y轴导轨以及驱动所述固定杆沿所述第二Y轴导轨进行运动的第四驱动装置。
7.根据权利要求6所述的湿法栏具提升固定装置,其特征在于:所述侧板上设有与所述Z轴导轨滑动配合的活动连接板,所述第二驱动装置与所述活动连接板驱动连接;所述第一Y轴导轨和所述第三驱动装置分别设置在所述活动连接板上,所述提升杆与所述第一Y轴导轨滑动配合;在所述侧板上设有固定连接板,所述第二Y轴导轨设置在所述固定连接板上。
8.根据权利要求7所述的湿法栏具提升固定装置,其特征在于:在两个所述提升杆上分别设有用于抓取所述晶片基座的提升爪,两个所述提升杆上的所述提升爪相对设置;在两个所述固定杆上分别设有用于抓取所述晶片基座的固定爪,两个所述固定杆上的所述固定爪相对设置,其中所述固定爪为L形结构,所述固定爪悬挂连接在所述固定杆上。
9.根据权利要求8所述的湿法栏具提升固定装置,其特征在于:还包括设置在所述浸浴槽开口处的第一传感器、用于检测所述湿法栏具提升位置的第二传感器和用于检测所述晶片基座提升位置的第三传感器;其中所述的第二传感器和第三传感器分别设置在所述侧板上;或在所述浸浴槽上设有安装板,所述的第二传感器和第三传感器分别设置在所述安装板上。
10.一种湿法栏具提升固定方法,其特征在于:采用如权利要求9所述的湿法栏具提升固定装置,具体包括如下步骤:
S1、所述湿法栏具提升机构将所述湿法栏具提升第一预设高度,使所述湿法栏具中最上层的晶片基座到达检测位置;
S2、所述第一传感器检测所述湿法栏具中最上层的晶片基座的高度误差是否在预设范围内;若误差超出所述预设范围,则所述第一传感器报警,若误差在所述预设范围内,则进入步骤S3;
S3、所述提升杆抓取晶片基座并提升至第二预设高度,使晶片基座到达取片位置;
S4、机械手从晶片基座中取出晶片;
S5、所述提升杆将晶片基座提升至第三预设高度,使晶片基座到达已固定的晶片基座下面;
S6、所述固定杆松开已固定的晶片基座;
S7、所述提升杆将晶片基座提升至第四预设高度,使晶片基座到达固定位置;
S8、所述固定杆抓取所述提升杆中最下层的晶片基座;
S9、所述提升杆松开晶片基座,并下降至初始位置;
S10、重复步骤S1~S9。
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