[发明专利]一种半导体器件芯片晶圆的划片方法

说明书

本发明属于半导体器件与集成电路制造技术领域，具体涉及一种半导体器件芯片晶圆的划片方法。主要适用于超小尺寸、超薄的半导体芯片晶圆的划片。本专利的有益效果是：本发明的划片方法，消除了划片切割时应力较大、划片过程中易出现崩边或缺角的现象，提高了划片工序的质量及成品率，其经济效益十分明显；本发明的划片机为DAD321型划片机，切割过程确保走刀位置的准确性和切割的精度，操作简单，切割速度快。

技术领域

本发明属于半导体器件与集成电路制造技术领域，具体涉及一种半导体器件芯片晶圆的划片方法。

背景技术

银点二极管半导体芯片是一种用平面工艺在n-Si衬底上扩散一个P型区形成的二极管。在衬底n-Si的底部镀有平面形银层即背银3，为二极管的负电极；而在p-Si区周围镀有银球1(蒸镀或溅射镀)以形成二极管的正电极(图4)；p型区外有钝化层2。该二极管具有：后道封装简易、成本低廉的优点，适于大批量生产，且性能参数与同类背金产品无差异。

鉴于大部分后道厂家无划片机，故我公司需将银点二极管半导体芯片产品划片后以单个芯粒形式供货，为避免划片过程中造成的崩边、缺损造成的芯粒损失，寻找正确的划片工艺迫在眉睫。

当前，我公司划较薄的200微米背金背银片的划片工艺已成熟，此划片工艺设置如下：

锯片机：DAD321

刀片型号：DISCO 127F-27HCBB

刀片宽度：20-25微米

主轴转速：23000转/分钟

划片方式：AA

进刀速度：60毫米/秒

但某些银点二极管半导体芯片的片厚比200微米还要薄，比如面积(包括管芯间距)为230微米*230微米的银点二极管半导体芯片：片厚100微米，银点高度30微米±5微米；其特点是芯片较薄，划片切割时应力较大，划片过程中易出现崩边或缺角现象。参照以上工艺设置，采用AA方式划片：分X、 Y两方向，每方向划片步距均设定为该方向单个管芯步距，对于本银点二极管半导体芯片即都是230微米，划片程序设置见(图1)。

采用此划片工艺划银点二极管半导体芯片产品，极易发生管芯崩边缺角现象，正面缺角见(图2中的A处)，背面崩边见(图3中的B处)。

在阐述本发明内容之前，先阐述一下与本发明相关的定义：

定义

AA划片方式：在划片过程中，管芯的纵向和横向的进刀间距都是采取管芯尺寸的划片过程。

AS划片方式：在划片过程中，管芯的纵向和横向的进刀间距有一组是采取管芯尺寸整数m倍的划片过程。其中m是2、3、4等整数，另一组方向的划片进刀间距仍然等于管芯尺寸的划片。

SS划片方式：在划片过程中，管芯的纵向和横向的进刀间距都是采取管芯尺寸整数m倍的划片过程。其中m是1、2、3、4等整数，而两组所选的m 数值可以相同也可以不同，但不能都等于1的划片。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于克服现有技术的不足，提供一种半导体器件芯片晶圆的划片方法，用于解决较薄的银点二极管半导体芯片划片时管芯崩边缺角的情况。

考虑到芯片片厚较薄，应力较大，先从刀片考虑，选用金刚石为4500 号的DISCOZHZZ-SD4500-H1-50-A1726的锯片刀划片，问题得到缓解。但每把刀片划到10片左右依然容易出现正面缺角，背面崩边的现象，不能满足产品的要求。

经过讨论分析，划片时若扩大进刀槽与进刀槽之间的距离或面积，以释放部分应力，可能会解决上述问题，故采用SS方式划片。