[发明专利]制造背照式图像传感器的方法

权利要求书

1.一种制造背照式图像传感器的方法，其特征在于，所述方法包括：

在半导体基底上形成二氧化硅层；

在所述半导体基底以及二氧化硅层中形成通孔；

在所述通孔的侧壁上形成第一电介质层；

在所述二氧化硅层中形成沟槽；以及

沉积第一金属材料，从而填充所述沟槽以及所述通孔，其中填充到所述沟槽中的第一金属材料构成遮光件，所述遮光件用于防止背照式图像传感器的相邻像素间的光线串扰，填充到所述通孔中的第一金属材料与所述背照式图像传感器的布线层电连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述通孔上形成电极，包括：

以所述二氧化硅层为停止层，对所述第一金属材料进行化学机械平坦化；

沉积第二金属材料；以及

选择性地去除所述第二金属材料，从而形成所述电极。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

形成第二电介质层，从而覆盖所述电极以及所述遮光件；以及

选择性地去除所述第二电介质层以及所述遮光件之间的二氧化硅层，使得所述电极的至少一部分以及所述遮光件之间的半导体基底暴露出来。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述遮光件的侧壁上保留有二氧化硅。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，在所述二氧化硅层中形成沟槽的步骤中，在所述沟槽的底部保留有二氧化硅层，使得所述遮光件与所述半导体基底绝缘。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述二氧化硅层中形成沟槽的步骤之后，执行在所述半导体基底以及二氧化硅层中形成通孔的步骤。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述二氧化硅层表面和所述通孔的侧壁上形成第一电介质层的步骤包括：

沉积第一电介质层；以及

去除所述沟槽底部的第一电介质层。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一电介质层由氮化硅形成。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一金属材料包括钨、铝、金、银、铂。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，其特征在于，所述第二金属材料包括铝、铜、金、银、铂。