[发明专利]一种OLED器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810662011.4 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN108832015A | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 李春亚;王双龙;郑燕琼;杨佳丽;赵艺;凌志天;魏斌 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/00;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘奇 |
| 地址： | 201900*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体层 复合结构 衬底 聚合物基板 第一电极 层叠设置 导电类型 第二电极 光电效率 柔性器件 石墨烯膜 依次层叠 导体层 阻隔膜 源层 制备 | ||
1.一种OLED器件，其特征在于，包括依次层叠设置的柔性衬底复合结构、第一电极层、第一半导体层、有源层、第二半导体层和第二电极层；所述第一半导体层和第二半导体层为不同导电类型导体层；
所述柔性衬底复合结构，包括依次层叠设置的聚合物基板、阻隔膜和石墨烯膜；
所述第一电极层与柔性衬底复合结构中的聚合物基板接触。
2.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述柔性衬底复合结构的厚度为30～200μm。
3.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述第一电极层的厚度为8～200nm。
4.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述第一半导体层和第二半导体层的厚度独立地为30～50nm。
5.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述有源层的厚度为15～30nm。
6.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述第二电极层的厚度为6～25nm。
7.权利要求1～6任一项所述OLED器件的制备方法，包括以下步骤：
提供柔性衬底复合结构；
在所述柔性衬底复合结构的聚合物基板上依次蒸镀第一电极层、第一半导体层、有源层、第二半导体层和第二电极层，得到OLED器件。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第一电极层和第二电极层的蒸镀速率独立地为
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第一半导体层、第二半导体层和有源层的蒸镀速率独立地为
10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述柔性衬底复合结构的制备方法，包括以下步骤：
(1)在金属基底上沉积石墨烯膜，得到金属基底-石墨烯膜结构；
(2)将所述步骤(1)得到的金属基底-石墨烯膜结构中的石墨烯膜结构转移至涂覆有阻隔膜的聚合物基板的阻隔膜表面，得到柔性衬底复合结构。
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