[发明专利]集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)

权利要求书

1.一种方法，其包括：

(a)将容纳在室中的衬底暴露于蚀刻气体和去除气体的交替脉冲中以逐层蚀刻所述衬底，其中在施加蚀刻气体的脉冲和去除气体的脉冲中的至少一个期间点燃等离子体，以及；

(b)将所述衬底暴露于第一反应物和第二反应物的交替脉冲中以在所述衬底上沉积膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中(a)进一步包括向所述衬底施加偏置。

3.根据权利要求1所述的方法，其中(a)进一步包括定向溅射所述衬底。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括当将所述衬底暴露于所述去除气体时点燃等离子体。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括当将所述衬底暴露于所述第二反应物时点燃等离子体。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，重复(a)和(b)以在所述衬底上沉积材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，重复(a)和(b)以在所述衬底上蚀刻膜。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在不破坏真空的情形下进行(a)和(b)。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中所述去除气体是选自氮气、氩气、氦气和氖气所组成的组中的载气。

10.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中(a)和(b)是在同一室中进行的并且按顺序进行。

11.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中在脉冲之间清扫所述室。

12.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中(a)或(b)中的至少一个是自限性反应。

13.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中所述衬底选自由金属和电介质所组成的组。

14.一种用于处理衬底的设备，所述设备包括：

一个或更多个处理室，每个处理室包括卡盘；

一个或更多个用于将气体输送到所述一个或更多个处理室内的气体入口和相关的流量控制硬件；和

具有至少一个处理器和存储器的控制器，其中

所述至少一个处理器和所述存储器能通信地彼此连接，

所述至少一个处理器能操作地与所述流量控制硬件连接，并且

所述存储器存储计算机能运行指令，所述计算机能运行指令用于控制所述至少一个处理器，以控制所述流量控制硬件来：

(a)使得衬底暴露于蚀刻剂和清扫气体的交替脉冲中以逐层蚀刻所述衬底；

(b)使得所述衬底暴露于还原剂和前体的交替脉冲中以在所述衬底上沉积膜；以及

(c)使得在不破坏进行(a)和(b)之间的真空的情形下重复(a)和(b)。

15.根据权利要求14所述的设备，其中，(a)和(b)是在所述一个或更多个处理室中的同一室中进行的并且(a)和(b)是按顺序进行的。