[发明专利]包括沟槽隔离的半导体装置有效
| 申请号： | 201810585622.3 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN109037143B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 彼特·巴尔斯;宽特·葛斯荷夫;R·许泽利茨 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包括 沟槽 隔离 半导体 装置 | ||
1.一种制造半导体装置的沟槽隔离的方法，包括：
提供绝缘体上硅(SOI)衬底，其包括半导体块体衬底、形成于该半导体块体衬底上的埋置氧化物层、以及形成于该埋置氧化物层上的半导体层；
形成穿过该半导体层并至少部分延伸至该埋置氧化物层中的沟槽；
在该沟槽的侧壁形成衬里；
将该沟槽加深至该半导体块体衬底中；
用可流动介电材料填充该加深的沟槽；
执行该可流动介电材料的退火；
自该加深的沟槽的上部移除该退火后的可流动介电材料的一部分；
用氧化物材料填充该加深的沟槽的该上部；以及
在执行该退火并移除该退火后的可流动介电材料的该部分以后且在用该氧化物材料填充该加深的沟槽的该上部之前，移除该衬里。
2.如权利要求1所述的方法，其中，该衬里由氮化硅材料制成或包括氮化硅材料。
3.如权利要求1所述的方法，其中，该半导体层包括SiGe区，且在该退火之前，该衬里形成于该SiGe区的侧表面上。
4.如权利要求1所述的方法，其中，该半导体层包括SiGe区，且还包括形成以与该加深的沟槽的深度相比较小的深度至少部分延伸至该埋置氧化物层中的另一个沟槽，并在该另一个沟槽的侧壁形成衬里，以在该退火之前覆盖该SiGe区的侧表面。
5.一种制造半导体装置的沟槽隔离的方法，包括：
提供绝缘体上硅(SOI)衬底，其包括半导体块体衬底、形成于该半导体块体衬底上的埋置氧化物层、以及形成于该埋置氧化物层上的半导体层；
形成穿过该半导体层并至少部分延伸至该埋置氧化物层中的沟槽；
将该沟槽加深至该半导体块体衬底中；
接着在该加深的沟槽的侧壁形成衬里；
用可流动介电材料填充该加深的沟槽；
执行该可流动介电材料的退火；
自该加深的沟槽的上部移除该退火后的可流动介电材料的一部分；
用氧化物材料填充该加深的沟槽的该上部；以及
在执行该退火并移除该退火后的可流动介电材料的该部分以后且在用该氧化物材料填充该加深的沟槽的该上部之前，移除该衬里的上部。
6.如权利要求5所述的方法，其中，该衬里由氮化物材料制成或包括氮化物材料。
7.如权利要求5所述的方法，其中，该半导体层包括SiGe区，且在该退火之前，该衬里形成于该SiGe区的侧表面上。
8.如权利要求5所述的方法，其中，该半导体层包括SiGe区，且还包括形成以与该加深的沟槽的深度相比较小的深度至少部分延伸至该埋置氧化物层中的另一个沟槽，并在该另一个沟槽的侧壁形成衬里，以在该退火之前覆盖该SiGe区的侧表面。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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