[发明专利]一种半导体芯片生产工艺

权利要求书

1.一种半导体芯片生产工艺，其特征在于：该工艺包括如下步骤：

步骤一：将晶圆放到研磨机上研磨成镜面；

步骤二：将步骤一中的晶圆放入高温扩散炉内进行氧化处理；

步骤三：将步骤二中的晶圆表面涂抹光刻胶后放入光刻机中进行曝光、显影；

步骤四：将步骤三中的晶圆送入刻蚀机中进行等离子刻蚀；

步骤五：将步骤四中的晶圆送入高温炉中进行掺杂；

步骤一中的研磨机，包括支撑架(1)、翻转电机(2)、驱动轴(3)、单向制动器(4)、旋转盘、固定盘(6)、连接杆(7)、研磨装置(8)、研磨片(9)、回收箱(10)，所述驱动轴(3)转动安装在支撑架(1)的两支撑板中部，驱动轴(3)一端与翻转电机(2)轴端头固定连接；所述翻转电机(2)固定连接在支撑架(1)的右支撑板板上；所述单向制动器(4)包括制动转盘(41)、制动球(42)、弹簧，所述制动转盘(41)中心设置通孔，制动转盘(41)的圆柱面上设置一组缺口，缺口内设有制动球(42)；所述制动球(42)通过弹簧与缺口内壁连接；所述驱动轴(3)穿过制动转盘(41)的通孔；所述制动转盘(41)设置在支撑架(1)的支撑板一侧，制动转盘(41)能够在旋转盘的中心圆柱孔内实现单向转动，制动转盘(41)对称设置；所述旋转盘对称设置，两个旋转盘之间通过两个连接杆(7)固定连接；所述固定盘(6)的中心圆柱孔内设有旋转盘，固定盘(6)一侧端面固定连接在支撑架(1)的支撑板上，固定盘(6)对称设置；所述连接杆(7)中部设有研磨装置(8)，所述研磨装置(8)用于配合研磨片(9)对硅晶圆进行研磨，研磨装置(8)上下对称设置；所述研磨片(9)设置在顶部的研磨装置(8)上方；所述回收箱(10)设置在底部的研磨装置(8)下方；

所述单向制动器(4)相对于固定盘(6)偏心设置，单向制动器(4)转动连接在连接块(51)的中心孔内；所述连接块(51)为长方体，连接块(51)上方中部固定连接二号伸缩杆(52)一端；所述二号伸缩杆(52)另一端与圆弧形滑块(53)固定连接；所述圆弧形滑块(53)与连接块(51)之间设有一组弹簧，圆弧形滑块(53)相对于连接块(51)对称设置；所述固定盘(6)中部设置腰形孔；所述圆弧形滑块(53)能够在固定盘(6)的腰形孔能滑动；两个水平的圆弧形滑块(53)之间固连着连接杆(7)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片生产工艺，其特征在于：所述研磨装置(8)包括研磨电机(81)、支撑盘(82)、传动连杆(83)、配重杆(84)、弹簧、研磨盘(85)、一号伸缩杆(86)，所述研磨电机(81)固定连接在连接杆(7)中部，研磨电机(81)轴端头固定连接支撑盘(82)中部；所述支撑盘(82)与研磨盘(85)之间通过一组一号伸缩杆(86)铰接，支撑盘(82)中部上方设有传动连杆(83)；所述传动连杆(83)两端设置成圆弧形，传动连杆(83)中部上转动连接配重杆(84)的一端，传动连杆(83)上设有两个弹簧；所述配重杆(84)的一端通过上下两个弹簧保持悬空，配重杆(84)的另一端设置球头；所述研磨盘(85)能够夹持硅晶圆。

3.根据权利要求1所述的一种半导体芯片生产工艺，其特征在于：所述驱动轴(3)中部安装一组与驱动轴(3)两端相反的单向制动器(4)；所述单向制动器(4)转动安装在凸轮(31)的中心圆柱孔内；所述凸轮(31)下方设有振动推杆(32)，每个凸轮(31)的初始角度各不相同；所述振动推杆(32)一端设置轴肩，轴肩下方设有弹簧，振动推杆(32)另一端设置成分叉，振动推杆(32)滑动安装在振动支架(33)的圆柱孔内；所述弹簧下端与振动支架(33)的圆柱孔底部接触；所述振动支架(33)一端内部设置圆柱孔，振动支架(33)另一端转动安装在驱动轴(3)上。

4.根据权利要求3所述的一种半导体芯片生产工艺，其特征在于：所述凸轮(31)下方设有球头压块(34)；所述球头压块(34)中部设置轴肩，球头压块(34)底端固定连接一号弹簧(35)顶端；所述一号弹簧(35)底端固定连接锥形压块(37)上端，一号弹簧(35)的相邻螺旋线之间通过两个螺旋支架(36)固定连接；所述螺旋支架(36)上端固定连接在球头压块(34)底端，螺旋支架(36)下端固定连接在锥形压块(37)上端。