[发明专利]脱模膜、以及半导体封装体的制造方法

权利要求书

1.一种脱模膜，它是在将半导体元件配置在模具内、用固化性树脂进行密封形成树脂密封部的半导体封装体的制造方法中配置于模具的内腔面的脱模膜，

其特征在于，具备在所述树脂密封部的形成时与所述固化性树脂接触的第1面和与所述内腔面接触的第2面，

至少所述第2面上形成有凹凸，形成有所述凹凸的面的算术平均粗糙度Ra为1.3～2.5μm，峰值数RPc为80～200。

2.如权利要求1所述的脱模膜，其特征在于，所述脱模膜的厚度为16～75μm。

3.如权利要求1所述的脱模膜，其特征在于，在所述第2面上形成有凹凸，脱模膜的厚度为40～75μm。

4.如权利要求1所述的脱模膜，其特征在于，所述算术平均粗糙度Ra为1.6～1.9μm。

5.权利要求1所述的脱模膜，其特征在于，所述峰值数RPc为100～130。

6.如权利要求1所述的脱模膜，其特征在于，所述脱模膜由氟树脂构成。

7.如权利要求6所述的脱模膜，其特征在于，所述氟树脂为乙烯/四氟乙烯共聚物。

8.如权利要求7所述的脱模膜，其特征在于，所述乙烯/四氟乙烯共聚物由基于四氟乙烯的单元、和基于乙烯的单元、和基于四氟乙烯以及乙烯以外的第三单体的单元构成，

所述乙烯/四氟乙烯共聚物中的基于四氟乙烯的单元和基于乙烯的单元的摩尔比TFE/E为80/20～40/60。

9.如权利要求8所述的脱模膜，其特征在于，相对于所述乙烯/四氟乙烯共聚物的全部单元的总计，所述基于第三单体的单元的比例为0.01～20摩尔％。

10.如权利要求9所述的脱模膜，其特征在于，所述第三单体为(全氟丁基)乙烯，相对于所述乙烯/四氟乙烯共聚物的全部单元的总计，所述基于(全氟丁基)乙烯的单元的比例为0.5～4.0摩尔％。

11.如权利要求7～10中任一项所述的脱模膜，其特征在于，所述乙烯/四氟乙烯共聚物的根据ASTM D3159测定的MFR为2～40g/10分钟。

12.一种半导体封装体的制造方法，它是具有半导体元件和由固化性树脂形成的用于密封所述半导体元件的树脂密封部的半导体封装体的制造方法，其特征在于，具备

将权利要求1～11中任一项所述的且至少在第2面上形成有所述凹凸的脱模膜以所述第1面向着内腔内的空间的方式配置在模具的接触所述固化性树脂的内腔面上的工序，和

在所述内腔内配置安装有半导体元件的基板并用固化性树脂将该半导体元件密封，使该固化性树脂在与所述脱模膜接触的状态下固化来形成树脂密封部，藉此得到具有基板和安装于所述基板上的半导体元件和密封所述半导体元件的树脂密封部的密封体的工序，和

将所述密封体从所述模具脱模的工序。

13.一种半导体封装体的制造方法，它是具有半导体元件、由固化性树脂形成的用于密封所述半导体元件的树脂密封部、和形成于所述树脂密封部的表面的墨水层的半导体封装体的制造方法，其特征在于，具备

将权利要求1～11中任一项所述的且至少在第2面上形成有所述凹凸的脱模膜以所述第1面向着内腔内的空间的方式配置在模具的接触所述固化性树脂的内腔面上的工序，和

在所述内腔内配置安装有多个半导体元件的基板并用固化性树脂将该多个半导体元件一次性密封，使该固化性树脂在与所述脱模膜接触的状态下固化来形成树脂密封部，藉此得到具有基板和安装于所述基板上的多个半导体元件和一次性密封所述多个半导体元件的树脂密封部的一次性密封体的工序，和

将所述一次性密封体的所述基板以及所述树脂密封部切断，使所述多个半导体元件分离，藉此得到具有基板和安装于所述基板上的至少1个半导体元件和将所述半导体元件密封的树脂密封部的单片化密封体的工序，和

在所述一次性密封体或单片化密封体的树脂密封部的与所述脱模膜接触的面上，使用墨水形成墨水层的工序。