[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201810524721.0 | 申请日: | 2018-05-28 |
公开(公告)号: | CN108520884B | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 杨昆 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G06F3/041 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:
衬底基板;
多膜层结构,形成于所述衬底基板上,所述多膜层结构至少包括层间绝缘层,所述层间绝缘层上侧面设置有开孔,用以释放膜层间的应力;
触控信号线层,形成于所述多膜层结构上;
所述多膜层结构还包括依次形成于所述衬底基板上的阻挡层、缓冲层、有源层以及栅极绝缘层;
所述阵列基板还包括形成于所述层间绝缘层及所述触控信号线层之间的平坦化层;
所述阵列基板还包括形成于所述触控信号线层上的第一绝缘层及胶框。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述开孔内填充有金属材料。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述金属材料为铜、铝或者钛中的至少一种或组合。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述开孔的横截面为圆形、椭圆形以及多边形的至少一种。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述开孔不同位置处的横截面积不同。
6.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
在衬底基板上制备多膜层结构,其中,所述多膜层结构至少包括层间绝缘层,所述层间绝缘层上侧面设置有开孔,用以释放膜层间的应力;
在所述多膜层结构上形成触控信号线层;
所述多膜层结构的所述衬底基板上依次形成有的阻挡层、缓冲层、有源层以及栅极绝缘层;
所述层间绝缘层及所述触控信号线层之间形成有平坦化层;
所述触控信号线层上形成有第一绝缘层及胶框。
7.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求1-5中任一所述的阵列基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810524721.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:OLED触控显示面板及其制作方法
- 下一篇:图像传感器及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的