[发明专利]显示基板及其制作方法以及显示器件有效
申请号: | 201810513425.0 | 申请日: | 2018-05-25 |
公开(公告)号: | CN108682681B | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 张粲;王灿 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王翡;陈岚 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制作方法 以及 器件 | ||
本发明涉及显示领域,并且具体地,提供了显示基板及其制作方法以及对应的显示器件。所述显示基板包括:相对设置的第一透明电极和第二反射电极;位于所述第一透明电极和所述第二反射电极之间的发光层;位于所述第一透明电极远离所述发光层的一侧上的有机材料层;以及位于所述有机材料层远离所述发光层的一侧上的半透半反层。所述有机材料层包括阵列排布的多个有机材料部分,每一个有机材料部分包括多于一个有机材料子部分。在垂直于所述有机材料层的延伸表面的方向上,所述多于一个有机材料子部分具有不同的厚度,使得从所述多于一个有机材料子部分出射的光分别具有不同的颜色。
技术领域
本发明涉及显示领域,并且具体地,提供了显示基板及其制作方法以及对应的显示器件。
背景技术
凭借相对小的器件尺寸和良好的显示性能,微显示器(microdisplay)已经展现出越来越广阔的应用前景,并且特别适用于头盔显示器、立体显示器、眼镜式显示器等应用。典型地,微显示器可以利用有机发光器件(OLED)、液晶显示器件(LCD)、微发光二极管(micro-LED)显示器件、微电子机械系统(MEMS)等等而实现。由于响应速度快、对比度高、自发光、结构简单、功耗低等优点,有机发光器件在微显示器中具有非常有利的应用前景。
一般地,当在微显示器中使用有机发光器件时,可以通过使用白光和彩膜基板的组合来实现全彩色显示。然而,由于受到精细掩膜板(fine metal mask,FMM)的限制,在这样的彩色有机发光器件中,很难实现相对较高的每英寸像素数(Pixel Per Inch,PPI)。此外,对于由白光和彩膜基板组合而成的这种有机发光器件,最终输出的光的色域大概仅占NTSC色域的80%。显然,这极大地限制了有机发光器件本身色域较高的优势。
发明内容
根据本发明的一方面,提出了一种显示基板。具体地,所述显示基板包括:相对设置的第一透明电极和第二反射电极;位于所述第一透明电极和所述第二反射电极之间的发光层;位于所述第一透明电极远离所述发光层的一侧上的有机材料层;以及位于所述有机材料层远离所述发光层的一侧上的半透半反层。所述有机材料层包括阵列排布的多个有机材料部分,每一个有机材料部分包括多于一个有机材料子部分。在垂直于所述有机材料层的延伸表面的方向上,所述多于一个有机材料子部分具有不同的厚度,使得从所述多于一个有机材料子部分出射的光分别具有不同的颜色。
根据具体实现方案,由本发明的实施例提供的显示基板还包括:位于所述半透半反层远离所述发光层的一侧上的多个滤色单元。具体地,每一个滤色单元包括多于一个子滤色单元,其中,所述多于一个子滤色单元在所述有机材料层上的正投影分别与所述多于一个有机材料子部分重合。
根据具体实现方案,由本发明的实施例提供的显示基板还包括第一封装层,例如,薄膜封装层。具体地,所述第一封装层位于所述第一透明电极和所述有机材料层之间。
根据具体实现方案,由本发明的实施例提供的显示基板还包括第二封装层,例如,无机封装层。具体地,所述第二封装层位于所述半透半反层远离所述发光层的一侧上。
根据具体实现方案,在本发明的实施例提供的显示基板中,所述有机材料层由聚对二甲苯、聚二甲基硅氧烷或者聚甲基丙烯酸甲酯制成。
根据具体实现方案,在本发明的实施例提供的显示基板中,所述半透半反层包括分布式布拉格反射镜、MgAg层、铝层或金层。
根据具体实现方案,在本发明的实施例提供的显示基板中,所述多于一个有机材料子部分包括第一有机材料子部分、第二有机材料子部分和第三有机材料子部分。
根据具体实现方案,在本发明的实施例提供的显示基板中,所述发光层包括层叠设置的第一子发光层、第二子发光层和第三子发光层。进一步地,所述第一子发光层配置为发射红光,所述第二子发光层配置为发射绿光,并且所述第三子发光层配置为发射蓝光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的