[发明专利]一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀方法

权利要求书

1.一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀方法，其特征在于：该刻蚀方法采用如下刻蚀设备，该刻蚀设备包括刻蚀箱(1)、端盖(2)、固定座(3)、激励线圈(4)、偏压提供装置(5)、盛放单元(6)和转动单元(7)，所述刻蚀箱(1)为无盖圆筒型，刻蚀箱(1)中心轴线竖直放置，刻蚀箱(1)内部底层中心开设气体出口(11)和一号圆环形凹槽，一号圆环形凹槽位于气体出口(11)的外侧，气体出口(11)用于刻蚀箱(1)内部的气体反应产物的流出；所述端盖(2)放置在刻蚀箱(1)的顶部，端盖(2)为圆盘型，端盖(2)的中心开设气体注入口(21)，气体注入口(21)用于向刻蚀箱(1)内部通入刻蚀气体；所述固定座(3)为圆环形，固定座(3)水平安装在刻蚀箱(1)的内壁上；所述激励线圈(4)安装在刻蚀箱(1)的外壁上，激励线圈(4)用于将刻蚀箱(1)内部的刻蚀气体激发成等离子体；所述偏压提供装置(5)设置在刻蚀箱(1)的内部，偏压提供装置(5)用于向刻蚀箱(1)内部的硅晶片施加偏压；所述盛放单元(6)设置在刻蚀箱(1)内部中心，盛放单元(6)用于盛放待刻蚀的硅晶片；所述转动单元(7)设置在刻蚀箱(1)的外部底层，转动单元(7)用于带动刻蚀箱(1)内部的盛放单元(6)转动，以加快刻蚀的进程和提高刻蚀的效果；

该硅晶片刻蚀方法包括如下步骤：

步骤一：配制硅晶片清洗溶液，将待刻蚀的硅晶片放入配制好的清洗溶液中进行清洗；

步骤二：将端盖(2)从刻蚀箱(1)上方移走，再将防护罩从盛放筒顶部移走，使用镊子将步骤一中清洗干净的硅晶片放入盛放单元(6)中后，安装好防护罩后盖上端盖(2)；

步骤三：通过气体注入口(21)向步骤二中刻蚀箱(1)内部通入刻蚀气体；

步骤四：开启偏压提供装置(5)对硅晶片施加偏压，向激励线圈(4)通电，步骤三中的刻蚀气体在刻蚀箱(1)内部发生电离；

步骤五：开启空心电机和抽吸泵，以及控制喷气头向放置板吹惰性气体，控制步骤四中的刻蚀箱(1)内部的转动单元(7)带动盛放单元(6)进行旋转，将刻蚀气体反应产物从刻蚀箱(1)内部清除；

步骤六：使用镊子将步骤五中盛放单元(6)上的刻蚀好后的硅晶片取出，放入盛放纯净水的晶片盒中静置；

所述盛放单元(6)包括盛放筒(61)、气缸(62)、放置板(63)、防护罩(64)、喷气头(641)、弹簧(65)和一号空心轴(66)，所述盛放筒(61)为圆筒型，盛放筒(61)竖直设置在刻蚀箱(1)内部中心，盛放筒(61)外壁与固定座(3)之间为转动连接，盛放筒(61)侧壁内部设置空腔，盛放筒(61)顶部开设一号气体入口(611)，盛放筒(61)内部侧壁开设二号气体入口(612)，盛放筒(61)底部中心开设气体流出口(613)，所述气缸(62)安装在盛放筒(61)内部底层，气缸(62)的活塞(621)顶部水平安装放置板(63)，放置板(63)为圆盘形，活塞(621)与放置板(63)的外边缘与盛放筒(61)内壁紧密接触，活塞(621)与放置板(63)可在盛放筒(61)进行转动，放置板(63)的底部连接偏压提供装置(5)；所述防护罩(64)可拆卸安装在盛放筒(61)顶部，防护罩(64)为中心设有开口的半球形状，防护罩(64)的端部设置喷气头(641)，防护罩(64)用于使刻蚀的气体产物从盛放筒(61)顶部的一号气体入口(611)进入盛放筒(61)侧壁内壁的空腔中，喷气头(641)用于向放置板(63)吹入惰性气体；所述弹簧(65)套在气缸(62)外面，弹簧(65)的一端与活塞(621)底部连接，弹簧(65)的另一端与盛放筒(61)内部底层连接；所述一号空心轴(66)竖直设置在刻蚀箱(1)内部底层中心，一号空心轴(66)为圆筒型，一号空心轴(66)的侧壁底部与刻蚀箱(1)内部底层的一号圆环形凹槽紧密贴合，一号空心轴(66)的顶端与盛放筒(61)底部的气体流出口(613)连接；

所述转动单元(7)包括空心电机(71)、二号空心轴(72)和抽吸泵(73)，所述空心电机(71)安装在刻蚀箱(1)底部，空心电机(71)的输出轴通过一号空心轴(66)与盛放筒(61)底部的气体出口(11)连接；所述二号空心轴(72)设置在刻蚀箱(1)外部底层，二号空心轴(72)与空心电机(71)连接；所述抽吸泵(73)安装在二号空心轴(72)上，抽吸泵(73)用于将刻蚀箱(1)内部的刻蚀的气体产物抽出刻蚀箱(1)；

所述盛放筒(61)的顶部倾斜设置；

所述防护罩(64)内表面均匀安装红外线石英辐射灯。