[发明专利]彩色滤光基板及其制作方法与WOLED显示器有效
| 申请号: | 201810439402.X | 申请日: | 2018-05-09 |
| 公开(公告)号: | CN108666349B | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
| 发明(设计)人: | 黄辉 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;鞠骁 |
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 彩色 滤光 及其 制作方法 woled 显示器 | ||
本发明提供一种彩色滤光基板及其制作方法与WOLED显示器。本发明的彩色滤光基板包括衬底、像素定义层及多个滤光图案,像素定义层上对应多个子像素区设有多个开口,多个滤光图案于像素定义层的多个开口内设置在衬底上,每一滤光图案均包括于衬底上依次设置的量子点层及滤光层。本发明的彩色滤光基板在进行制作时仅需要进行一道光刻制程以制作开口即可,而滤光图案的量子点层及滤光层均可通过溶液成膜的方式制作在开口中,有效地简化了制程,提升生产效率,且将该彩色滤光基板应用于WOLED显示器能够有效提高WOLED显示器的发光效率及色域,提升产品的品质。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种彩色滤光基板及其制作方法与WOLED显示器。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器,也称为有机电致发光显示器,是一种新兴的平板显示器,由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄、响应速度快,而且易于实现彩色显示和大屏幕显示、易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示等优点,因而具有广阔的应用前景。
OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED,PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED,AMOLED)两大类,即直接寻址和薄膜晶体管(ThinFilm Transistor,TFT)矩阵寻址两类。其中,AMOLED具有呈阵列式排布的像素,属于主动显示类型,发光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸显示器。
OLED通常包括:基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层(Hole InjectLayer,HIL)、设于空穴注入层上的空穴传输层(Hole Transport Layer,HTL)、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层(Electron Transport Layer,ETL)、设于电子传输层上的电子注入层(Electron Inject Layer,EIL)、及设于电子注入层上的阴极。OLED显示器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光。具体的,OLED显示器件通常采用氧化铟锡像素电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极,在一定电压驱动下,电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层,电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层,并在发光层中相遇,形成激子并使发光分子激发,后者经过辐射弛豫而发出可见光。
现有的OLED显示器常会采用白光OLED(WOLED)基板搭配彩色滤光基板(CF)的结构,彩色滤光基板上设有多个红绿蓝色阻单元,WOLED基板发出的白光经红绿蓝色阻单元滤光后产生对应的色光射出,以实现WOLED显示器的彩色显示。常见的彩色滤光基板的制作方法中的色阻单元利用蒸镀工艺制作,需要经过多次光刻工艺才能完成,制程复杂。而采用例如喷墨打印等非蒸镀工艺制作色阻单元的工艺尚不成熟,且在应用于高分辨率的WOLED显示器时,由于高分辨率的WOLED显示器像素排列紧密,制备时容易出现混色的现象,影响产品的品质。
发明内容
本发明的目的在于提供一种彩色滤光基板,其制作方法简单,应用于WOLED显示器中能够提升WOLED显示器发光效率及色域,提升产品质量。
本发明的另一目的在于提供一种彩色滤光基板的制作方法,操作简单,制得的彩色滤光基板应用于WOLED显示器中能够提升WOLED显示器发光效率及色域,提升产品质量。
本发明的又一目的在于提供一种WOLED显示器,发光效率高,色域广。
为实现上述目的,本发明首先提供一种彩色滤光基板,包括:
衬底;所述衬底上设有多个子像素区;
设于所述衬底上的像素定义层;所述像素定义层上对应多个子像素区设有多个开口;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





