[发明专利]一种散热芯片的固体焊接工艺有效
申请号: | 201810439165.7 | 申请日: | 2018-05-09 |
公开(公告)号: | CN108581168B | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 王宏全 | 申请(专利权)人: | 西安君信电子科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H05K3/34;B23K20/02 |
代理公司: | 西安毅联专利代理有限公司 61225 | 代理人: | 高美化 |
地址: | 710000 陕西省西安市国家民*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 散热 芯片 固体 焊接 工艺 | ||
1.一种散热芯片的固体焊接工艺,其特征在于,包括以下步骤:
1)选取与芯片本体(1)匹配的第一散热装置;
2)散热芯片的装配:所述芯片本体(1)和第一散热装置同时放置于热等静压机的密封舱内,对密封舱进行抽真空操作;经抽真空后在密封舱内注入惰性气体,采用热等静压工艺将芯片本体(1)与第一散热装置固相连接,得到散热芯片;
所述热等静压工艺中,加热温度为第一散热装置熔点温度的0.3倍~0.8倍。
2.根据权利要求1所述的一种散热芯片的固体焊接工艺,其特征在于,所述散热芯片的装配步骤中,所述密封舱中抽真空后,真空度为1×10-3 Pa~20×10-3 Pa。
3.根据权利要求1所述的一种散热芯片的固体焊接工艺,其特征在于,所述散热芯片的装配步骤中,所述热等静压工艺中,对惰性气体加压,所述惰性气体的升压速度为0.7MPa/s~1.3MPa/s。
4.根据权利要求3所述的一种散热芯片的固体焊接工艺,其特征在于,所述散热芯片的装配步骤中,所述热等静压工艺中,对惰性气体加压的同时对所述芯片本体(1)与第一散热装置加热,加热时的升温速度为3℃/min~7℃/min。
5.根据权利要求1所述的一种散热芯片的固体焊接工艺,其特征在于,所述选取与芯片本体(1)匹配的第一散热装置步骤具体为:
选取与芯片本体(1)匹配的第一散热装置,且在所述芯片本体(1)的上下两侧均设有第一散热装置,位于所述芯片本体(1)下侧第一散热装置的散热性能大于位于所述芯片本体(1)上侧第一散热装置的散热性能。
6.根据权利要求5所述的一种散热芯片的固体焊接工艺,其特征在于,所述芯片本体(1)与第一散热装置之间设有第一散热层。
7.根据权利要求1所述的一种散热芯片的固体焊接工艺,其特征在于,所述选取与芯片本体(1)匹配的第一散热装置步骤具体为:
选取与芯片本体(1)匹配的第一散热装置,在所述芯片本体(1)的同一表面设置两个以及两个以上的第一散热装置,相邻的第一散热装置之间设置第二散热层。
8.根据权利要求1-7之一所述的一种散热芯片的固体焊接工艺,其特征在于,所述散热芯片的装配步骤后还包括第二散热装置的装配,所述第二散热装置的装配具体为:
在散热芯片的表面,放置第二散热装置,将第二散热装置与所述散热芯片装配连接。
9.根据权利要求8所述的一种散热芯片的固体焊接工艺,其特征在于,所述第二散热装置与所述散热芯片通过共晶焊接工艺连接,所述第二散热装置与散热芯片之间通过铅锡合金浆料连接。
10.根据权利要求8所述的一种散热芯片的固体焊接工艺,其特征在于,所述第二散热装置的外表面还有金属层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安君信电子科技有限责任公司,未经西安君信电子科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810439165.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种大厚度钛合金板非对称熔深双面电子束焊方法
- 下一篇:靶材组件及加工方法