[发明专利]半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

下部子半导体封装，包括下部半导体芯片、下部半导体芯片上的下部模层以及下部模层中的模通孔；

上部子半导体封装，包括上部半导体芯片；

下部子半导体封装和上部子半导体封装之间的填充层；以及

模通孔中的连接过孔，所述连接过孔穿过下部模层和填充层，并且将下部子半导体封装与上部子半导体封装电连接，

其中填充层包括延伸部，所述延伸部从填充层的比下部模层的顶表面高的部分延伸到模通孔中。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：

在下部子半导体封装的侧表面、填充层的侧表面和/或上部子半导体封装的侧表面和/或顶表面上的电磁波屏蔽构件。

3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中填充层包括突出部，所述突出部相比于下部子半导体封装的侧表面和/或上部子半导体封装的侧表面沿相同的方向突出得更远。

4.根据权利要求3所述的半导体封装，其中电磁波屏蔽构件包括位于填充层的突出部的表面上的屏蔽突出部。

5.根据权利要求2所述的半导体封装，其中填充层还包括位于下部子半导体封装的侧表面的上部部分上的下覆盖部。

6.根据权利要求2所述的半导体封装，其中填充层还包括位于上部子半导体封装的侧表面的下部部分上的上覆盖部。

7.根据权利要求2所述的半导体封装，其中电磁波屏蔽构件包括金属材料。

8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中模通孔从下部模层的顶表面延伸到下部模层的底表面，以及

其中模通孔包括渐缩宽度形状。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中连接过孔在比下部模层的顶表面低的高度处具有最宽宽度。

10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中连接过孔在与填充层的延伸部的最下端接触的部分处具有最宽宽度。

11.一种半导体封装，包括：

下部子半导体封装，包括下部封装底座衬底、下部封装底座衬底上的下部半导体芯片以及下部封装底座衬底的顶表面上和下部半导体芯片上的下部模层，其中下部模层包括模通孔；

上部子半导体封装，包括上部封装底座衬底和上部封装底座衬底上的上部半导体芯片；

下部子半导体封装和上部子半导体封装之间的填充层；

模通孔中的连接过孔，所述连接过孔穿过下部模层和填充层，并且将下部封装底座衬底与上部封装底座衬底电连接；以及

在下部子半导体封装的侧表面、填充层的侧表面和/或上部子半导体封装的侧表面和/或顶表面上的电磁波屏蔽构件，

其中连接过孔在比下部模层的顶表面低的高度处具有最宽宽度。

12.根据权利要求11所述的半导体封装，其中下部封装底座衬底或上部封装底座衬底中的至少一个包括在其侧表面处暴露的接地端子，以及

其中电磁波屏蔽构件接触接地端子并电连接到接地端子。

13.根据权利要求12所述的半导体封装，其中填充层包括突出部，所述突出部相比于下部子半导体封装的侧表面和/或上部子半导体封装的侧表面沿一个方向突出得更远，以及

其中填充层包括位于下部子半导体封装的侧表面的一部分或上部子半导体封装的侧表面的一部分中至少之一上的覆盖部。

14.根据权利要求13所述的半导体封装，其中覆盖部不覆盖接地端子的至少一部分。

15.根据权利要求11所述的半导体封装，其中填充层包括延伸部，所述延伸部从填充层的比下部模层的顶表面高的部分延伸到模通孔中，以及

其中连接过孔在与延伸部的最下端接触的部分处具有最宽宽度。