[发明专利]一种半导体的显示方法有效
申请号: | 201810362411.3 | 申请日: | 2018-04-20 |
公开(公告)号: | CN108538858B | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 肖淑敏;高翊盛;张靖;宋清海 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 深圳市添源知识产权代理事务所(普通合伙) 44451 | 代理人: | 罗志伟 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 显示 方法 | ||
1.一种半导体的显示方法,其特征在于:主要由半导体制成的超表面的结构颜色与半导体在受激辐射下产生的本征颜色混合产生,通过调控入射白光以及激发的强度改变两种颜色的混合比,进而产生不同的颜色。
2.根据权利要求1所述的半导体的显示方法,其特征在于:半导体的超表面的结构颜色在反射模式下产生,当一束白光通过空气柱后入射到在某基底的半导体的超表面上时,入射光与单个半导体的超表面单元发生米氏散射,通过单个超表面单元之间的共振,得到特定的反射峰,进而产生不同的结构颜色,该结构颜色的强度通过入射白光的强度调控。
3.根据权利要求1所述的半导体的显示方法,其特征在于:半导体在受激辐射时,发出特定波长的本征颜色,而受激辐射的光强通过受激强度调控。
4.根据权利要求1所述的半导体的显示方法,其特征在于:通过将外在结构颜色与本征颜色混合,实现动态颜色调谐,其中,结构颜色作为基础,本征颜色作为光子杂质,通过调节半导体激发的强度,以动态、可逆地控制产生的颜色。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的