[发明专利]集成电子装置封装及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201810339643.7 申请日: 2018-04-16
公开(公告)号: CN108807300A 公开(公告)日: 2018-11-13
发明(设计)人: 廖文翔;董志航;余振华;周淳朴;郭丰维 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/56;H01L25/16
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 顾伯兴
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体管芯 电感器 导电迹线 封装结构 通孔 磁性结构 第一层 内连线 导电 集成电子装置 模塑材料 线圈结构 第三层 迹线 封装 嵌置 集成电路 延伸 制作
【说明书】:

一种集成电子装置封装,包括半导体管芯、电感器以及多个导电内连线。半导体管芯包括设置在封装结构的第一层处的集成电路,封装结构包括多个层,多个层中的第一层包含模塑材料。电感器包括导电迹线及磁性结构,导电迹线设置在磁性结构周围,导电迹线包括位于封装结构的第二层及第三层处的迹线部分,导电迹线包括在第二层与第三层之间延伸的第一通孔,第一通孔与迹线部分电内连以形成线圈结构,电感器的第一通孔与半导体管芯一起嵌置在第一层的模塑材料中,磁性结构设置在电感器的线圈结构内。多个导电内连线设置在封装结构的一个或多个层处,多个导电内连线通过第二通孔连接到半导体管芯,半导体管芯设置在电感器的多个部分之间。

技术领域

发明的实施例是有关于一种集成电子装置封装及其制作方法,特别是有关于一种包括电感器的集成电子装置封装及其制作方法。

背景技术

电感器可用于各种应用,例如电路中的滤波器(filters in circuits)、能量存储组件(energy storage components)、用于抑制电压的反应器(reactors to depressvoltage)、开关电流限制器(switching current limiter)、变压器等。例如,变压器可由第一电感器及第二电感器形成。变压器可利用在第一电感器与第二电感器之间产生的磁通量(magnetic flux)将电能从第一电路传输到第二电路。经观察,将电感器集成到半导体封装中的传统方式可能涉及复杂的加工且可能涉及与典型半导体加工的兼容性欠佳的材料,此两者可能致使制作此种封装的成本提高。

发明内容

根据一些实施例,提供一种集成电子装置封装。集成电子装置封装包括半导体管芯、电感器及多个导电内连线。半导体管芯包括设置在封装结构的第一层处的集成电路,封装结构包括多个层,所述多个层中的第一层包含模塑材料。电感器包括导电迹线及磁性结构,导电迹线设置在磁性结构周围,导电迹线包括位于封装结构的第二层及第三层处的迹线部分,导电迹线包括在第二层与第三层之间延伸的第一通孔,第一通孔与迹线部分电内连以形成线圈结构,电感器的第一通孔与半导体管芯一起嵌置在第一层的模塑材料中,磁性结构设置在电感器的线圈结构内。多个导电内连线设置在封装结构的一个或多个层处,多个导电内连线通过第二通孔连接到半导体管芯,半导体管芯设置在电感器的多个部分之间。

根据一些替代实施例,提供一种制作包括电感器的集成电子装置封装的方法。制作方法包含以下步骤。在封装结构的电绝缘层上形成导电迹线的第一迹线部分,第一迹线部分是导电的。在设置在电绝缘层上的牺牲层中形成导电迹线的通孔,通孔是导电的。移除牺牲层并将管芯放置在电绝缘层上方。在管芯的暴露的表面及通孔的暴露的表面周围形成模塑材料层,并在模塑材料层内形成磁性结构。在模塑材料层及磁性结构上方形成导电迹线的第二迹线部分,第二迹线部分是导电的,导电迹线及磁性结构形成电感器。

根据一些替代实施例,提供一种制作包括电感器的集成电子装置封装的方法。制作方法包含以下步骤。在封装结构的第一电绝缘层上形成第一迹线部分,第一迹线部分是导电的。在设置在第一电绝缘层上的牺牲层中形成通孔,通孔是导电的且电连接到第一迹线部分中的相应的第一迹线部分。移除牺牲层并在第一电绝缘层上形成第二电绝缘层。将管芯放置在第二电绝缘层上方。在管芯的暴露的表面及通孔的暴露的表面之上及周围形成模塑材料。将模塑材料平坦化并在模塑材料中形成沟槽。在沟槽中形成磁性材料并在沟槽中的磁性材料之上形成电绝缘材料,以使沟槽中的磁性材料电绝缘。在模塑材料及磁性材料上方形成第二迹线部分,第二迹线部分是导电的且电连接到通孔中的对应的通孔,以使第一迹线部分、通孔及第二迹线部分形成跨越封装结构的多个层的电感器,电感器的线圈环绕沟槽中的磁性材料,电感器的通孔中的至少一些与管芯一起嵌置在多个层中的第一层的模塑材料中。

附图说明

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810339643.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top