[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

说明书

提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法。一个实施方式所涉及的半导体装置的制造方法具备以下工序：在半导体基板的表面形成栅极绝缘膜；在表面形成具有源区、漏区以及隔着栅极绝缘膜而与半导体基板的被源区和漏区夹入的部分对置的栅极电极的至少一个半导体元件；在表面之上形成第一膜；以及用酸性溶液清洗半导体基板。第一膜由在酸性溶液中带电为与构成半导体基板的材料相反的电位的材料构成。形成第一膜的工序是在形成栅极绝缘膜的工序之前进行。第一膜形成为位于在俯视观察时不与形成源区的部分、形成漏区的部分以及形成栅极电极的部分重叠的非有源区域内。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置和半导体装置的制造方法。

背景技术

以往以来，已知一种日本特开2000-156380号公报(专利文献1)所记载的半导体装置的制造方法。专利文献1所记载的半导体装置的制造方法具备如下工序：形成设置有陷阱(trap)的陷阱图案，该陷阱用于收集想要附着于电路图案的异物；以及以使清洗液流入陷阱的方式用清洗液清洗半导体晶片。

根据专利文献1所记载的半导体装置的制造方法，能够抑制因附着于电路图案的异物引起的构成电路图案的构造物之间的电气短路。

发明内容

在专利文献1所记载的半导体装置的制造方法中，如果想要将异物收集到陷阱图案，则陷阱图案变厚。因此，在专利文献1所记载的半导体装置的制造方法中，在形成陷阱图案之后的工序中，必须考虑因陷阱图案的厚度引起的高低差的影响。

其它课题和新的特征通过本说明书的记述和附图会变得明确。

一个实施方式所涉及的半导体装置的制造方法具备以下工序：在半导体基板的表面形成栅极绝缘膜；在表面形成具有源区、漏区以及隔着栅极绝缘膜而与半导体基板的被源区和漏区夹入的部分对置的栅极电极的至少一个半导体元件；在表面之上形成第一膜；以及用酸性溶液清洗半导体基板。第一膜由在酸性溶液中带电为与构成半导体基板的材料相反的电位的材料构成。形成第一膜的工序是在形成栅极绝缘膜的工序之前进行。第一膜形成为位于在俯视观察时不与形成源区的部分、形成漏区的部分以及形成栅极电极的部分重叠的非有源区域内。

本发明的上述及其它目的、特征、方面以及优点会通过与附图相关联地理解的与本发明相关的接下来的详细的说明变得明确。

附图说明

图1是第一实施方式所涉及的半导体装置的放大顶视图。

图2是第一实施方式所涉及的半导体装置的整体顶视图。

图3是第一实施方式所涉及的半导体装置的截面图。

图4是表示第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的工序图。

图5是元件分离膜形成工序结束后的第一实施方式所涉及的半导体装置的截面图。

图6是第一膜形成工序结束后的第一实施方式所涉及的半导体装置的截面图。

图7是清洗工序结束后的第一实施方式所涉及的半导体装置的截面图。

图8是栅极绝缘膜形成工序结束后的第一实施方式所涉及的半导体装置的截面图。

图9是栅极电极形成工序结束后的第一实施方式所涉及的半导体装置的截面图。

图10是第一杂质注入工序结束后的第一实施方式所涉及的半导体装置的截面图。

图11是侧壁隔离物形成工序结束后的第一实施方式所涉及的半导体装置的截面图。

图12是第二杂质注入工序结束后的第一实施方式所涉及的半导体装置的截面图。

图13是预金属(pre-metal)绝缘膜形成工序结束后的第一实施方式所涉及的半导体装置的截面图。