[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，具备：

在半导体基板的表面形成栅极绝缘膜的工序；

在所述表面形成具有源区、漏区以及隔着所述栅极绝缘膜而与所述半导体基板的被所述源区和所述漏区夹入的部分对置的栅极电极的至少一个半导体元件的工序；

在所述表面之上形成第一膜的工序；以及

用酸性溶液清洗所述半导体基板的工序，

其中，所述第一膜由在所述酸性溶液中带电为与构成所述半导体基板的材料相反的电位的材料构成，

形成所述第一膜的工序是在形成所述栅极绝缘膜的工序之前进行，

所述第一膜形成为位于在俯视观察时不与形成所述源区的部分、形成所述漏区的部分以及形成所述栅极电极的部分重叠的非有源区域内。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第一膜由在pH为4以下的所述酸性溶液中带电为与构成所述半导体基板的材料相反的电位的材料构成。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

构成所述半导体基板的材料是硅，

构成所述第一膜的材料是氮化硅。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在形成所述半导体元件的工序中形成多个所述半导体元件，

所述多个半导体元件构成在俯视观察时彼此相分离地配置的多个元件块，

所述第一膜配置于在俯视观察时位于所述多个元件块各自的内侧的所述非有源区域内。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在形成所述半导体元件的工序中形成多个所述半导体元件，

所述多个半导体元件构成在俯视观察时彼此相分离地配置的多个元件块，

所述第一膜配置于在俯视观察时位于相邻的所述元件块之间的所述非有源区域内。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在形成所述半导体元件的工序中形成多个所述半导体元件，

所述多个半导体元件构成在俯视观察时彼此相分离地配置的多个元件块，

所述第一膜配置于在俯视观察时位于所述多个元件块中的配置于最外侧的所述元件块的外侧的所述非有源区域内。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

还具备形成元件分离膜的工序，所述元件分离膜将所述半导体元件进行绝缘分离，

形成所述第一膜的工序是在形成所述元件分离膜的工序之前进行。

8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

还具备在所述第一膜之上形成第二膜的工序，所述第二膜由在所述酸性溶液中带电为与构成所述半导体基板的材料相反的电位的材料构成，

形成所述半导体元件的工序具有形成被配置于所述栅极电极的侧方的侧壁隔离物的工序，

所述第二膜和所述侧壁隔离物由相同的材料构成，

形成所述第二膜的工序和形成所述侧壁隔离物的工序同时进行。

9.一种半导体装置，具备：

半导体基板，具有表面，且具有与所述表面相接地配置的源区以及与所述源区相分离且与所述表面相接地配置的漏区；

栅极电极，在所述表面，与所述半导体基板的被所述源区和所述漏区夹入的部分绝缘并对置；

半导体元件，由所述源区、所述漏区以及所述栅极电极构成；以及

第一膜，配置于所述表面之上，由在酸性溶液中带电为与构成所述半导体基板的材料相反的电位的材料构成，

所述第一膜位于在俯视观察时不与所述源区、所述漏区以及所述栅极电极重叠的非有源区域内。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件的数量为多个，

所述多个半导体元件构成元件块，

所述第一膜位于在俯视观察时位于所述元件块的内侧的所述非有源区域内。