[发明专利]半导体装置在审

申请号：	201810190168.1	申请日：	2018-03-08
公开（公告）号：	CN108735721A	公开（公告）日：	2018-11-02
发明（设计）人：	佐佐木阳光;井口知洋;木村晃也	申请（专利权）人：	株式会社东芝
主分类号：	H01L25/065	分类号：	H01L25/065;H01L23/367
代理公司：	永新专利商标代理有限公司 72002	代理人：	刘英华
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	半导体芯片金属基体接合部件绝缘基体半导体装置方向交叉
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【说明书】：

半导体装置包括第1、第2半导体芯片、金属基体及第1、第2接合部件。上述第2半导体芯片在第1方向上与上述第1半导体芯片分离。上述金属基体在与上述第1方向交叉的第2方向上，与上述第1、第2半导体芯片分离。上述绝缘基体设置于上述第1半导体芯片与上述金属基体之间及上述第2半导体芯片与上述金属基体之间。上述第1接合部件设置于上述金属基体与上述绝缘基体之间，在上述第2方向上，至少一部分处于上述第1半导体芯片与上述金属基体之间。上述第2接合部件设置于上述金属基体与上述绝缘基体之间，在上述第2方向上，至少一部分处于上述第2半导体芯片与上述金属基体之间。

关联申请的交叉引用

本申请基于并主张2017年4月19日提出的在先日本专利申请2017-083063的优先权，这里通过参考而援引在先申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及半导体装置。

背景技术

功率半导体芯片在动作中发出较高的热。较高的热会使半导体装置例如功率半导体模块变形。希望提高散热性。

发明内容

根据实施方式，半导体装置包括第1半导体芯片、第2半导体芯片、金属基体、第1接合部件及第2接合部件。上述第2半导体芯片在第1方向上与上述第1半导体芯片分离。上述金属基体在与上述第1方向交叉的第2方向上，与上述第1半导体芯片及上述第2半导体芯片分离。上述绝缘基体设置于上述第1半导体芯片与上述金属基体之间及上述第2半导体芯片与上述金属基体之间。上述第1接合部件设置于上述金属基体与上述绝缘基体之间，在上述第2方向上，至少一部分处于上述第1半导体芯片与上述金属基体之间。上述第2接合部件设置于上述金属基体与上述绝缘基体之间，在上述第2方向上，至少一部分处于上述第2半导体芯片与上述金属基体之间。

附图说明

图1是例示第1实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图2A是例示第1实施方式的半导体装置的示意俯视图。图2B是沿着图2A中的B－B线的示意剖视图。图2C是沿着图2A中的C－C线的示意剖视图。

图3A是例示第1实施方式的半导体装置的示意俯视图。图3B是沿着图3A中的B－B线的示意剖视图。图3C是沿着图3A中的C－C线的示意剖视图。

图4是例示第1实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图5是例示第1实施方式的半导体装置的另外的示意剖视图。

图6A及图6B是例示第2实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图7是例示第3实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图8A～图8D是例示第4实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图9是例示第5实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图10A是例示第6实施方式的半导体装置的示意俯视图。图10B是沿着图10A中的B－B线的示意剖视图。

图11是例示第6实施方式的半导体装置的另外的示意剖视图。