[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1半导体芯片；

第2半导体芯片；

金属基体，在与从上述第1半导体芯片向上述第2半导体芯片的方向交叉的第1方向上，与上述第1半导体芯片及上述第2半导体芯片分离；

绝缘基体，设置在上述第1半导体芯片与上述金属基体之间及上述第2半导体芯片与上述金属基体之间；

第1接合部件，设置在上述金属基体与上述绝缘基体之间，上述第1接合部件的至少一部分，在上述第1方向上处于上述第1半导体芯片与上述金属基体之间；以及

第2接合部件，设置在上述金属基体与上述绝缘基体之间，上述第2接合部件的至少一部分，在上述第1方向上处于上述第2半导体芯片与上述金属基体之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第1半导体芯片的沿着与上述第1方向垂直的1个方向的第1长度，是上述第1接合部件的沿着上述1个方向的第2长度以下。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第1接合部件及上述第2接合部件是致密度为百分之60以上百分之95以下的有孔材质。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第1接合部件的沿着上述第1方向的第1厚度为50μm以上200μm以下，

上述第2接合部件的沿着上述第1方向的第2厚度为50μm以上200μm以下。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第1接合部件的第1导热率为80W/(m·K)以上350W/(m·K)以下，

上述第2接合部件的第2导热率为80W/(m·K)以上350W/(m·K)以下。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第1半导体芯片在与上述第1方向交叉的交叉平面中的第1面积S1和上述第1接合部件在上述交叉平面中的第2面积S2满足，

1.0≤S2/S1≤3.0

的关系。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

上述第2半导体芯片在上述交叉平面中的第3面积S3和上述第2接合部件在上述交叉平面中的第4面积S4满足，

1.0≤S4/S3≤3.0

的关系。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其中，还具备：

中间部件；以及

散热部件，

上述金属基体设置于上述第1接合部件与上述中间部件之间及上述第2接合部件与上述中间部件之间，

上述中间部件设置在上述金属基体与上述散热部件之间。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还具备：

树脂，在与上述第1方向交叉的方向上，设置在上述第1接合部件与上述第2接合部件之间。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第1半导体芯片包括在上述第1方向上与上述第1接合部件重叠的第1重叠区域，

上述第1重叠区域在与上述第1方向交叉的交叉平面中的面积为，上述第1半导体芯片在上述交叉平面中的第1面积的百分之90以上。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，

上述第1接合部件包括第1接合小片和第2接合小片。