[发明专利]一种LTPS背板制作方法以及LTPS背板结构

说明书

本发明涉及LTPS制作技术领域，尤其涉及一种LTPS背板制作方法，包括以下步骤：将所述基板分为驱动区域和显示区域；在所述基板上淀积SiN_X层，再蚀刻显示区域的SiN_X层；在所述基板上再淀积SiN_X层，令所述基板上的驱动区域和显示区域覆盖形成台阶状的SiN_X层；在所述基板上淀积SiO₂层，再蚀刻驱动区域的SiO₂层；在所述基板上淀积SiO₂层，令所述基板上的SiO₂层呈平整的端面，令驱动区域SiN_X/SiO₂膜厚比大于显示区域SiN_X/SiO₂膜厚比。本发明的发明目的在于提供一种LTPS背板制作方法，采用本发明提供的技术方案解决了现有LTPS无法同时满足外围驱动区域的TFT具有良好的开关特性和像素显示区域的TFT具有较佳的均匀性和可靠性的技术问题。

技术领域

本发明涉及LTPS制作技术领域，尤其涉及一种LTPS背板制作方法以及LTPS背板结构。

背景技术

低温多晶硅技术LTPS(Low Temperature Poly－silicon)最初是为了降低Note－PC显示屏的能耗，令Note－PC显得更薄更轻而研发的技术。

在LTPS的制造中，通常希望外围驱动区域的TFT具有较好的开关比，较小的亚阈值摆幅，从而获得良好的开关特性，这可以通过较大的多晶硅晶粒而获得；同时希望像素显示区域的TFT具有较小的漏电流，较佳的可靠性和均匀性，这需要通过相对较小的多晶硅晶粒而达到。

因为晶粒的增大往往使得多晶硅表面粗糙，导致漏电流增大，栅极与沟道间绝缘性变差且均匀性不佳。因此，通常的ELC一次结晶难以同时优化驱动区域和显示区域的TFT特性。

发明内容

本发明的发明目的在于提供一种LTPS背板制作方法以及LTPS背板结构，采用本发明提供的技术方案解决了现有LTPS无法同时满足外围驱动区域的TFT具有良好的开关特性和像素显示区域的TFT具有较佳的可靠性的技术问题。

为了解决上述技术问题，本发明一方面提供一种LTPS背板制作方法，包括以下步骤：

1)、将基板分为驱动区域和显示区域；

2)、在所述基板上淀积SiN_X层，再蚀刻显示区域的SiNx层；

3)、在所述基板上再淀积SiN_X层，令所述基板上的驱动区域和显示区域覆盖形成台阶状的SiN_X层；

4)、在所述基板上淀积SiO₂层，再蚀刻驱动区域的SiO₂层；

5)、在所述基板上淀积SiO₂层，令所述基板上的SiO₂层呈平整的端面，令驱动区域SiN_X/SiO₂膜厚比大于显示区域SiNX/SiO₂膜厚比。

优选的，在步骤2和4中，采用PEVCD工艺完成SiN_X层和SiO₂层的淀积。

优选的，在步骤2和4中，采用成像、湿刻或干刻工艺完成蚀刻。

优选的，步骤5中在所述基板的SiO₂层形成平整的端面后，在SiO₂层沉积一层非晶硅层；通过去氢、ELC晶化后在驱动区域和显示区域形成晶粒大小不同的多晶硅。

优选的，重复一遍步骤1-5。