[发明专利]晶粒转移设备及使用该设备转移晶粒的方法有效
申请号: | 201810007934.6 | 申请日: | 2018-01-04 |
公开(公告)号: | CN109671657B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 赖灿雄 | 申请(专利权)人: | 久元电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 张雅军;史瞳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶粒 转移 设备 使用 方法 | ||
一种晶粒转移设备,适用于将第一承载片上的多个晶粒转移至第二承载片,包含移动承载装置,及顶触装置。所述移动承载装置包括二相向间隔且可相对平移的承载部,分别用来供第一承载片与第二承载片设置,并让第一承载片上的晶粒位于第一承载片与第二承载片之间。所述顶触装置包括位于第一承载片反向晶粒的一侧的顶触件,所述顶触件能顶触第一承载片让对应的晶粒转移至第二承载片上。此外,本发明还提供一种使用前述晶粒转移设备转移晶粒的方法。省略设置吸取装置,直接通过所述顶触件直接顶触第一承载片让对应的晶粒直接转移至第二承载片的设置面上,能有效降低设备成本还能提高晶粒转移效率。
技术领域
本发明涉及一种晶粒转移设备与转移晶粒的方法,特别是涉及一种无需使用吸嘴装置的晶粒转移设备与无需使用吸嘴装置的转移晶粒的方法。
背景技术
在半导体制程中,会通过一晶粒挑拣设备对切割完成的多个晶粒依其外观、质量或特性进行挑拣分类。该晶粒挑拣设备主要包含一基座、一设置于该基座且具有二相间隔的承载部的承载装置、一设置于该基座而位于该承载装置下并具有一顶针件的顶针装置、一设置于基座并位于该承载装置上的吸取装置,及一设置于该基座并位于该承载部上的影像撷取装置。
当要进行晶粒挑拣时,会将一具有多个晶粒的第一承载片设置于其中一该承载部上,且同时将一可供挑拣后的所述晶粒黏置的第二承载片设置于其中另一该承载部上,先通过该影像撷取装置对应位于晶粒上用于判断晶粒的外观质量并进行位置确认,接着以该顶针装置的该顶针件顶抵该第一承载片,使该第一承载片上的其中一该晶粒凸起,再通过该吸取装置的一吸头吸取凸起的该晶粒,最后,该吸取装置通过垂直移动、平移,或旋转将已吸取该晶粒转移黏置于该第二承载片上。
由前述说明可知,现有的该晶粒挑拣设备是需要通过额外设置该吸取装置,才能进行晶粒挑拣转移,不仅增加设备的成本,且通过该吸取装置吸取该晶粒进行转移的过程中,需要在该第一承载片与该第二承载片之间往返移动,导致晶粒转移效率不佳降低整体制程速率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶粒转移设备及转移晶粒的方法。
本发明晶粒转移设备,适用于将第一承载片上的多个晶粒转移至第二承载片,包含移动承载装置及顶触装置。
所述移动承载装置包括二相向间隔且可相对平移的承载部,所述承载部分别用来供所述第一承载片与所述第二承载片设置,并让所述第一承载片上的所述晶粒位于所述第一承载片与所述第二承载片之间。
所述顶触装置包括位于所述第一承载片反向所述晶粒的一侧的顶触件,所述顶触件能顶触所述第一承载片让对应的所述晶粒转移至所述第二承载片上。
本发明晶粒转移设备,还包含对应所述顶触件的轴线地位于所述第二承载片反向所述晶粒的一侧的抵靠件。
本发明晶粒转移设备,还包含对应所述抵靠件的轴线设置的影像撷取装置,所述抵靠件位于所述第二承载片与所述影像撷取装置之间,所述抵靠件具有界定出沿所述轴线的通孔的管壁,及贯穿所述管壁而与所述通孔相连通的凹槽。
本发明晶粒转移设备,所述第一承载片与所述第二承载片皆为蓝膜。
本发明晶粒转移设备,所述第一承载片具有承载所述晶粒的承载面,所述第二承载片具有供所述晶粒设置的设置面,所述设置面的黏度大于所述承载面。
本发明晶粒转移设备,所述晶粒为发光二极体晶粒,且所述晶粒的发光面面向所述第一承载片的所述承载面设置。
本发明晶粒转移设备,所述第一承载片为蓝膜,所述第二承载片为具有固晶胶的封装架。
本发明转移晶粒的方法适用于将第一承载片上的多个晶粒转移至第二承载片,包含准备步骤、设置步骤、移动步骤,及顶触转移步骤。
所述准备步骤是准备如前述的晶粒转移设备、所述晶粒、所述第一承载片,及所述第二承载片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造