[发明专利]半导体装置、电力变换装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201780092222.2 | 申请日： | 2017-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN110770883B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 重本拓巳;石川悟;井本裕儿 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;H01L23/12;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电力 变换 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，在该半导体装置配置半导体元件，其中，
所述半导体装置具有：
基板，其在俯视观察中具有经由接合材料而配置所述半导体元件的配置区域，并且所述基板具有绝缘性；以及
线，其设置于所述配置区域的周围的至少一部分，
所述线的一部分存在于将所述半导体元件与所述基板接合的所述接合材料的内部。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
在所述基板中的至少设置所述半导体元件以及所述线的表面存在镀层。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
所述线呈拱状，
所述拱状的所述线的最上部位于比所述基板的所述配置区域高且比所述半导体元件的上表面低的位置。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
俯视观察中的所述半导体元件的形状为四边形，
该线以使得所述线不与配置于所述配置区域的所述半导体元件的角部接触的方式设置。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
所述半导体元件的厚度为10μm至100μm的范围的厚度。
6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
所述半导体元件由SiC构成。
7.一种电力变换装置，其使用了权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中，
所述电力变换装置具有：
电力变换电路，其包含所述半导体装置，该电力变换电路对被输入进来的电力进行变换而输出变换后的该电力；以及
控制电路，其将用于控制所述电力变换电路的控制信号输出至该电力变换电路。
8.一种半导体装置的制造方法，其具有在基板配置半导体元件的工序，所述基板具有经由接合材料而配置所述半导体元件的配置区域，并且所述基板具有绝缘性，
在该半导体装置的制造方法中，包含如下工序：
在所述配置区域的周围的至少一部分设置线；以及
将所述接合材料以及所述半导体元件配置于设置有所述线的所述配置区域，
在设置所述线的工序中，以使得所述线的一部分存在于将所述半导体元件与所述基板接合的所述接合材料的内部的方式设置所述线。
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