[发明专利]用于集成功率芯片的方法和电子功率模块

权利要求书

1.一种用于集成电子功率芯片(MT、MD)的方法，其用于制造层叠分总成(BB_HS、BB_LS)，所述层叠分总成用于集成电子功率装置(EM1、EM2)，其特征在于，所述方法包括：

-制造第一基板和第二基板(EB1、EB2)，所述基板(EB1、EB2)中的每一个是通过在形成金属基底(MB1、MB2)的板上层叠绝缘内层和导电内层(PP、CP、EI)制成的，所述至少一个电子芯片(MT、MD)设置在所述第一基板和第二基板(EB1、EB2)中的任一个中，并且所述第一基板和第二基板(EB1、EB2)制造成其上层叠表面具有匹配的轮廓；

-通过所述第一基板和第二基板的具有匹配的轮廓的上表面而堆叠并接合所述第一基板和第二基板(EB1、EB2)；并且

-对所述第一基板和第二基板(EB1、EB2)进行压力组装，以制造用于所述集成电子功率装置(EM1、EM2)的所述层叠分总成(BB_HS、BB_LS)，所述组装包括将压力保持到完成通过树脂聚合(PP)的机械连接和在所述至少一个电子芯片之间的电气连接，所述板形成金属基底(MB1、MB2)和所述导电内层(CP、EI)。

2.根据权利要求1所述的用于集成电子功率芯片的方法，其特征在于，对所述第一基板和第二基板(EB1、EB2)的绝缘内层和导电内层(PP、CP、EI)的层叠是在形成铜制金属基底(MB1、MB2)的板上实现的。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在制造所述第一基板和第二基板(EB1、EB2)期间，所述层叠的绝缘内层和导电内层(PP、CP、EI)通过称为IMS类型的技术形成。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，在制造所述第一基板和第二基板(EB1、EB2)期间，所述形成金属基底(MB1、MB2)的板是机械地并/或通过光刻法成型的。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，在制造所述第一基板和第二基板(EB1、EB2)期间，B阶预浸料介电部分(PPb)是通过空心冲头模具冲压和/或铣切和/或刀切而在B阶预浸料薄片的基础上制造的，并且设置在所述基板(EB1、EB2)的相应位置(MP)中。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，在制造所述第一基板和第二基板(EB1、EB2)期间，导电部分(CP)是通过空心冲头模具冲压和/或铣切和/或刀切而在铜片的基础上制成的，并且设置在所述基板(EB1、EB2)的相应位置(MP)中。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在制造所述第一基板和第二基板(EB1、EB2)期间，通过真空压制并/或通过进真空层压炉处理而将所述导电部分(CP)层叠在其相应位置(MP)中。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，在制造所述第一基板和第二基板(EB1、EB2)期间，介电部分和导电部分(PP、CP)是通过空心冲头模具冲压和/或铣切和/或刀切而在覆铜箔层压板(CCL)的基础上制成的，并且通过真空压制并/或通过进真空层压炉处理而设置在所述基板(EB1、EB2)的相应位置(MP)中并被层叠。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于，在制造所述第一基板和第二基板(EB1、EB2)期间，所述内层的形成结合了通过光刻法对连接图案(CP、CP1、CP2)的精确限定。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其特征在于，在制造所述第一基板和第二基板(EB1、EB2)期间，所述内层的形成包括通过电解沉积金属层。