[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

具备：半导体元件(1)，具有一面(1a)及与一面相反侧的另一面(1b)，在另一面(1b)侧形成有电极(2)；被安装部件(6)，与电极(2)对置配置，具有导电性；以及连接部件(3)，配置在半导体元件(1)与被安装部件(6)之间，将半导体元件(1)与被安装部件(6)电连接及机械连接；连接部件(3)具有形成有在半导体元件(1)和被安装部件(6)的层叠方向上贯通的多个孔部(4b)的模部(4)、以及分别配置在多个孔部(4b)中的银烧结体(5)；半导体元件(1)和被安装部件(6)经由银烧结体(5)而机械连接。

关联申请的相互参照

本申请基于2016年9月15日提出申请的日本专利申请第2016－180612号主张优先权，这里通过参照而引用其记载内容。

技术领域

本发明涉及将半导体元件经由连接部件搭载于被安装部件而构成的半导体装置及其制造方法。

背景技术

以往，作为这种半导体装置，提出了以下结构(例如参照专利文献1)。即，在该半导体装置中，半导体元件采用具有一面及另一面并且至少在另一面侧具有电极的结构。此外，被安装部件采用作为导电性部件的引线框等。并且，半导体元件经由作为连接部件的银(以下称作Ag)烧结体而被搭载于被安装部件，以使得另一面侧的电极与被安装部件对置配置并且电极与被安装部件电连接。

这样的半导体装置例如如以下这样制造。即，在被安装部件上配置含有Ag粒子的膏材料，在膏材料上，以使电极与被安装部件对置的方式搭载半导体元件。接着，通过将膏材料烧结而构成Ag烧结体，从而制造出上述半导体装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010－171271号公报

发明内容

但是，Ag烧结体在通过烧结而构成时，在内部形成空隙。并且，如果该空隙在被安装部件的平面方向上相连而扩大，则Ag烧结体的连接强度下降，有Ag烧结体损坏的情况。即，有半导体装置损坏的情况。

本发明的目的在于，提供能够抑制损坏的半导体装置及其制造方法。

根据本发明的一个技术方案，半导体装置具备：半导体元件，具有一面及与一面相反侧的另一面，在另一面侧形成有电极；被安装部件，与电极对置配置，具有导电性；以及连接部件，配置在半导体元件与被安装部件之间，将半导体元件与被安装部件电连接及机械连接；连接部件具有形成有在半导体元件和被安装部件的层叠方向上贯通的多个孔部的模部、以及分别配置在多个孔部中的Ag烧结体；半导体元件和被安装部件经由Ag烧结体而机械连接。

由此，即使在配置在孔部中的Ag烧结体的内部形成了空隙，也通过模部来抑制在相邻的孔部中形成的空隙的相互连通。因此，能够抑制空隙沿着被安装部件的平面方向扩大。因而，能够抑制连接部件的连接强度的下降，能够抑制半导体装置的损坏。

此外，根据本发明的另一技术方案，在上述半导体装置的制造方法中，进行以下步骤：准备模部，向模部的多个孔部填充含有Ag粉末的膏材料而准备连接部件用片材；以使半导体元件的电极与被安装部件对置的方式，在被安装部件上隔着连接部件用片材而搭载半导体元件；通过加热，由膏材料构成Ag烧结体，将半导体元件与被安装部件机械连接。

由此，在构成Ag烧结体时即使在该Ag烧结体的内部形成有空隙，也通过模部来抑制在相邻的孔部中形成的空隙的相互连通。因此，能够制造抑制了空隙沿着被安装部件的平面方向扩大的半导体装置。即，能够制造通过抑制连接部件的连接强度下降而抑制损坏的半导体装置。

附图说明

图1是表示第1实施方式的半导体装置的剖视图。

图2是图1所示的连接部件的平面图。

图3A是表示图1所示的半导体装置的制造工序的剖视图。