[发明专利]电子部件保护环在审
| 申请号： | 201780053824.7 | 申请日： | 2017-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN109791915A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 朱宏斌;M·李;G·A·哈勒;P·J·爱尔兰 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/58 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 舒雄文;蹇炜 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阻挡物 电子部件 开口 离子扩散 裂缝传播 首尾相连 取向 阻挡 关联 延伸 | ||
1.一种电子部件保护环，包括：
阻挡物，具有首尾相连地取向的第一阻挡物部分和第二阻挡物部分，以阻挡电子部件中的离子扩散和裂缝传播；以及
所述阻挡物中的开口，在所述第一阻挡物部分与所述第二阻挡物部分之间，并且在所述阻挡物的第一侧与第二侧之间延伸。
2.如权利要求1所述的电子部件保护环，其中，所述第一阻挡物部分与所述第二阻挡物部分由形成所述开口的间隙彼此分开。
3.如权利要求1所述的电子部件保护环，其中，所述阻挡物包括至少三个阻挡物部分并且所述开口包括多个在所述阻挡物中且在相邻阻挡物部分之间的开口。
4.如权利要求1所述的电子部件保护环，其中，所述阻挡物包括在所述第一侧和所述第二侧至少之一上的彼此间隔开的多个阻挡物。
5.如权利要求4所述的电子部件保护环，其中，所述多个阻挡物包括至少三个阻挡物。
6.如权利要求1所述的电子部件保护环，还包括在所述第一侧或所述第二侧上的与所述第一阻挡物间隔开的第二阻挡物，其中，所述第二阻挡物是连续的并且没有开口。
7.如权利要求6所述的电子部件保护环，其中，所述第一阻挡物包括在所述第一侧和所述第二侧至少之一上的彼此间隔开的多个阻挡物。
8.如权利要求6所述的电子部件保护环，其中，所述第二阻挡物是最内阻挡物。
9.如权利要求1所述的电子部件保护环，其中，所述阻挡物设置在所述电子部件的周界周围。
10.如权利要求1所述的电子部件保护环，其中，所述阻挡物包括钨。
11.一种电子部件前体，包括：
半导体材料，形成电子部件的部分；以及
沟槽，具有形成于所述半导体材料中的第一沟槽部分和第二沟槽部分，用于构造阻挡所述电子部件中的离子扩散和裂缝传播的阻挡物，
其中，所述第一沟槽部分和所述第二沟槽部分首尾相连地取向并且由间隙彼此分开，使得所述半导体材料的部分在所述沟槽的第一侧与第二侧之间延伸。
12.如权利要求11所述的电子部件前体，其中，所述沟槽包括由相邻沟槽部分之间的间隙分开的至少三个沟槽部分。
13.如权利要求11所述的电子部件前体，其中，所述沟槽包括在所述第一侧和所述第二侧至少之一上的彼此间隔开的多个沟槽。
14.如权利要求13所述的电子部件前体，其中，所述多个沟槽包括至少三个沟槽。
15.如权利要求11所述的电子部件前体，还包括与所述第一侧或所述第二侧上的第一沟槽间隔开的第二沟槽，其中，所述第二沟槽是连续的并且没有间隙。
16.如权利要求15所述的电子部件前体，其中，所述第一沟槽包括在所述第一侧和所述第二侧至少之一上的彼此间隔开的多个沟槽。
17.如权利要求15所述的电子部件前体，其中，所述第二沟槽是最内沟槽。
18.如权利要求11所述的电子部件前体，其中，所述沟槽设置在所述电子部件的周界周围。
19.如权利要求11所述的电子部件前体，其中，所述半导体材料包括多晶硅。
20.如权利要求11所述的电子部件前体，其中，所述半导体材料包括多个多晶硅层。
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