[发明专利]作为半导体和机械处理中的工件载体的顶板的处理晶片

说明书

描述了可作为半导体和机械处理中的工件载体的处理晶片。在一些实例中，工件载体包括：基板；电极，所述电极形成在基板上以携带电荷，以夹持工件；通孔，所述通孔穿过基板并连接到电极；和介电层，所述位于基板之上，以将电极与工件隔离。

技术领域

本公开内容涉及用于半导体和机械处理的工件载体，且具体地涉及作为工件载体的处理晶片。

背景技术

在微机械和半导体芯片的制造中，工件(诸如硅晶片或其它基板)在不同的处理腔室中暴露于各种不同的工艺。这些腔室可将晶片暴露于许多不同的化学和物理工艺，由此在基板上产生微型集成电路和微机械结构。构成集成电路的材料层由包括化学气相沉积、物理气相沉积、外延生长及类似者的工艺所制成。使用光刻胶掩模(photoresist mask)和湿式或干式蚀刻技术将一些材料层图案化。基板可为硅、砷化镓、磷化铟、玻璃或其它合适的材料。

在这些工艺中所使用的处理腔室通常包括在处理期间用于支撑基板的基板支撑件、基座或卡盘(chuck)。在一些工艺中，基座可包括嵌入式加热器，用于控制基板的温度，且在一些情况下，用于提供可在该工艺中使用的升高的温度。静电卡盘(ESC)具有一个或多个嵌入式导电电极，以产生使用静电将晶片保持在卡盘上的电场。

ESC将具有称为圆盘(puck)的顶板，称为基座的底板或底座，及将两者保持在一起的界面或接合。圆盘的顶表面具有保持工件的接触表面，接触表面可由各种材料所制成，如，硅、聚合物、陶瓷或组合，且可在其上全部具有涂层，或在选择性的位置上具有涂层等。各种部件嵌入到圆盘中，包括用于保持或卡紧(chucking)晶片的电子部件和用于加热晶片的热部件。

存在有使集成电路芯片更小的恒定趋势。这种趋势的一部分包括在将电路部件构建在晶片的前侧上之前和之后，使晶片的背侧变薄。变薄的晶片小得多，但是很脆，所以用粘合带将其接合到圆盘上。这有助于防止变薄的晶片若从圆盘上掉落时受到损坏。虽然这样使晶片牢固地保持，但是比使用静电卡盘更难以附接和移除晶片。此外，粘合剂会作为在晶片和ESC的圆盘之间的电绝缘体和热绝缘体。

发明内容

描述了可作为半导体和机械处理中的工件载体的处理晶片。在一些实例中，所述工件载体包括：基板；电极，所述电极形成在基板上以携带电荷，以夹持(grip)工件；通孔，所述通孔穿过基板并连接至电极；和介电层，所述介电层位于基板之上，以将电极与工件隔离。

附图说明

藉由示例而非限制的方式，在附图的各图中显示本发明的实施方式，其中：

图1是根据实施方式的附接在一起的载体晶片和变薄的工件晶片的截面侧视图；

图2是根据实施方式的显示在施加介电层之前施加电极的载体晶片的顶部平面图；

图3是根据实施方式的在电极沉积之前施加掩模的载体晶片的等距视图；

图4是根据实施方式的图3的载体晶片的侧视截面图；

图5是根据实施方式的载体晶片的顶部平面图，显示了在施加介电层之前施加替代的电极配置；

图6是根据实施方式的在施加介电层之前具有用于施加进一步的替代的电极配置的模板(stencil)的载体晶片的等距视图；

图7是根据实施方式的显示两种类型的孔的载体的一部分的截面侧视图；

图8是根据实施方式的制造载体的工艺流程图；

图9是根据实施方式的替代载体的侧视截面图；

图10是根据实施方式的图9的载体的变型的侧视截面图；

图11是根据实施方式的携带载体的组装的静电卡盘的等距视图；