[发明专利]作为半导体和机械处理中的工件载体的顶板的处理晶片

权利要求书

1.一种工件载体，包括：

基板；

电极，所述电极形成在所述基板上以携带电荷，以夹持工件；

通孔，所述通孔穿过所述基板并连接到所述电极；和

介电层，所述介电层位于所述基板之上，以将所述电极与所述工件隔离。

2.如权利要求1所述的工件载体，其中所述基板包括硅晶片。

3.如权利要求1或2所述的工件载体，其中所述基板由玻璃、多晶硅和陶瓷的至少一种所构成。

4.如前述权利要求中任一项或多项所述的工件载体，其中所述电极包括图案化的钽。

5.如前述权利要求中任一项或多项所述的工件载体，其中所述电极藉由等离子体气相沉积而施加到所述基板。

6.如前述权利要求中任一项或多项所述的工件载体，其中所述通孔包含导电材料，以提供电耦接到所述电极的电触点。

7.如前述权利要求中任一项或多项所述的工件载体，进一步包括导电塞子，所述导电塞子位于所述通孔之上，其中所述电极位于所述塞子之上。

8.如前述权利要求中任一项或多项所述的工件载体，进一步包括接合焊盘，所述接合焊盘在与所述电极相对的所述基板的一侧上的所述通孔之上，所述接合焊盘从相对侧提供对所述电极的电连接。

9.如前述权利要求中任一项或多项所述的工件载体，其中所述电极位于所述基板的前侧上，所述工件载体进一步包括位于所述基板的背侧上的附加介电层。

10.如权利要求8或9所述的工件载体，其中所述背侧电介质与所述基板接触，而没有中间金属层。

11.如前述权利要求中任一项或多项所述的工件载体，进一步包括多个通孔，所述多个通孔从所述基板的背侧延伸穿过所述介电层，以提供对所述工件的背侧的接入。

12.一种方法，包括以下步骤：

在基板中形成通孔，所述通孔在所述基板的第一侧和所述基板的第二侧之间延伸，作为可从所述基板的所述第二侧接入的电触点；

在所述基板的所述第一侧之上施加导电层，所述导电层作为静电载体的电极与所述通孔接触；和

将电介质施加在所述基板和所施加的所述层之上作为一表面，在所述表面上静电地承载藉由所述电极保持在适当位置的工件。

13.如权利要求12所述的方法，其中施加所述导电层的步骤包括以下步骤：在所述基板之上施加掩模并在所述基板之上沉积如由所述掩模所限定的图案化电极。

14.如权利要求12-13中任一项或多项所述的方法，进一步包括以下步骤：在施加所述导电层以提供所述电触点之前，将导电塞子放置在所述基板的所述第一侧上的所述通孔之上，其中所述导电层被施加在所述塞子之上。

15.如权利要求12-14中任一项或多项所述的方法，进一步包括以下步骤：用耦接到所施加的所述导电层的导电衬里镀覆所述通孔。