[发明专利]操作真空处理系统的方法

权利要求书

1.一种操作真空处理系统(100、200、300)的操作方法，所述真空处理系统具有主要传输路径(50)，基板可沿着所述主要传输路径(50)在主要传输方向(Z)上传输，所述方法包括：

(1a)从所述主要传输路径(50)输送出基板(10)至第一沉积模块(D1)中以在所述基板(10)上沉积第一材料；

(1b)从所述主要传输路径(50)输送出所述基板(10)至第二沉积模块(D2)中以在所述基板(10)上沉积第二材料；和

(1c)从所述主要传输路径(50)输送出所述基板(10)至一个或多个沉积模块中以在所述基板(10)上沉积一种或多种材料。

2.如权利要求1所述的方法，其中在预定的时间间隔之后，后续基板重复地开始序列(1a)-(1b)-(1c)，特别是在对应于所述真空处理系统的节拍间隔的恒定时间间隔之后，更特别是在约60秒的恒定节拍间隔之后。

3.如权利要求2所述的方法，其中在奇数节拍间隔时开始的序列的阶段(1a)中，基板被输送至所述第一沉积模块(D1)中的第一沉积区域中以在所述基板(10)上沉积所述第一材料，以及

其中在偶数节拍间隔时开始的序列的阶段(1a)中，基板被输送至所述第一沉积模块(D1)中的第二沉积区域中以在所述基板(10)上沉积所述第一材料。

4.如权利要求1所述的方法，包括：

(2a)在阶段(1a)之后的一个节拍间隔，从所述主要传输路径(50)输送出后续基板至第二线路第一沉积模块(D1’)中以在所述后续基板上沉积所述第一材料；和

(2b)在阶段(1b)之后的一个节拍间隔，从所述主要传输路径(50)输送出所述后续基板至第二线路第二沉积模块(D2’)中以在所述后续基板上沉积所述第二材料。

5.如权利要求4所述的方法，其中在预定的时间间隔之后，所述后续基板交替地开始序列(1a)-(1b)与序列(2a)-(2b)，特别是在对应于所述真空处理系统的节拍间隔的恒定的时间间隔之后，更特别是在约60秒的恒定节拍间隔时。

6.如权利要求1至5任一项所述的方法，其中在阶段(1a)中，所述基板(10)从第一旋转模块(R1)移动至所述第一沉积模块(D1)中，并且其中在沉积所述第一材料之后，所述基板(10)移动回所述第一旋转模块(R1)中；和/或

其中所述阶段(1b)中，所述基板(10)从所述第一旋转模块(R1)或从第二旋转模块(R2)移动至所述第二沉积模块(D2)中，并且其中在沉积所述第二材料之后，所述基板(10)移动回所述第一旋转模块(R1)中或所述第二旋转模块(R2)中。

7.如权利要求6所述的方法，其中在阶段(1a)中，在所述基板(10)被移动出所述第一旋转模块(R1)的时间段期间，第三基板(12)从第二沉积模块(D2)移动至所述第一旋转模块(R1)中。

8.如权利要求6或7所述的方法，其中在阶段(1a)中，在所述基板(10)从所述第一旋转模块(R1)的第一轨道(X1)移动出所述第一旋转模块(R1)的时间段期间，第二基板(11)被布置于所述第一旋转模块(R1)的第二轨道(X2)上。

9.如权利要求1至8任一项所述的方法，包括：

(1a-1)沿着所述主要传输路径(50)移动所述基板(10)至第一旋转模块(R1)的第一轨道(X1)上，

(1a-2)以第一角度来旋转所述第一旋转模块(R1)；

(1a-3)从所述第一沉积模块(D1)移动第二基板(11)至所述第一旋转模块(R1)的第二轨道(X2)上；

(1a-4)以第二角度来旋转所述第一旋转模块(R1)，特别是以180°进行旋转；和

在阶段(1a)中，从所述第一旋转模块(R1)的所述第一轨道(X1)移动所述基板(10)至所述第一沉积模块(D1)中。