[实用新型]一种非易失性存储器的读取电路

权利要求书

1.一种非易失性存储器的读取电路，其中，包括：

多个参考支路，每个参考支路提供一个参考电压；

存储单元支路，与所述参考支路并联在电源电压与地之间并且互为镜像，所述存储单元支路包括存储单元，所述存储单元设置成可提供多个不同的存储电压；

多个输出单元，分别连接到所述多个参考支路，用于至少根据来自所述多个参考支路的参考电压来产生多个结果电压。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器的读取电路，其中，每个参考支路包括在电源电压与地之间依次串联的第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，第一晶体管的源极和栅极相连，第二晶体管的栅极接收钳位电压，第三晶体管的栅极接收与该参考支路对应的镜像电压，所述第一晶体管与第二晶体管之间的节点提供与该参考支路对应的参考电压。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器的读取电路，其中，每个参考支路的第三晶体管具有一个阈值电压，所述阈值电压与所述存储单元可提供的多个不同存储电压之一相对应。

4.根据权利要求2所述的非易失性存储器的读取电路，其中，存储单元支路包括在电源电压与地之间依次串联的第四晶体管、第五晶体管和存储晶体管，第四晶体管的源极和栅极互连并且与第一晶体管的栅极相连，第五晶体管的栅极接收钳位电压，存储晶体管的栅极接收读取电压，所述存储晶体管具有多个可编程阈值电压以能够提供多个不同的存储电压，所述存储电压在所述存储晶体管与所述第四晶体管之间的节点处被提供。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器的读取电路，其中，还包括镜像电压产生电路，所述镜像电压产生电路包括：

多个参考电流源，所述多个参考电流源之间互为镜像，分别与所述多个参考支路相连，用于根据相应的参考电流为各个参考支路提供相应的镜像电压。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储器的读取电路，其中，所述输出单元包括：多个反相器，分别与所述多个参考支路相连，用于将各个参考支路提供的参考电压反向后输出。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器的读取电路，其中，所述输出单元包括：多个比较器，每个比较器的第一输入端接与一个相应的参考支路相连以接收相应的参考电压，第二输入端与存储单元支路相连以接收存储电压，输出端提供相应的结果电压。

8.根据权利要求4所述的非易失性存储器的读取电路，其中，所述第一晶体管和第四晶体管为PMOS晶体管，所述第二晶体管和第三晶体管为NMOS晶体管。

9.根据权利要求1所述的非易失性存储器的读取电路，其中，所述多个参考支路的数目为4个，所述存储单元设置成可提供4个不同的存储电压。

10.根据权利要求1所述的非易失性存储器的读取电路，其中，所述非易失性存储器包括多比特非易失闪存。