[实用新型]一种磁传感器有效
| 申请号： | 201721875900.6 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN207938659U | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 巫远招;刘宜伟;李润伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L41/12 | 分类号： | H01L41/12;H01L41/06 |
| 代理公司： | 宁波元为知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33291 | 代理人： | 单英 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁传感器 衬底 半导体 外界磁场 场效应晶体管结构 场效应晶体管 磁传感器结构 磁致伸缩性能 信号放大作用 本实用新型 效应晶体管 磁场探测 高灵敏度 压电效应 漏极 源极 探测 测试 应用 | ||
1.一种磁传感器，其特征是：具有场效应晶体管结构，包括具有压电效应的半导体衬底，以及与半导体衬底相电连接的源极、漏极与栅极；其中，半导体衬底上设置具有磁致伸缩性能的磁体；
工作状态时，外界磁场作用于磁体，场效应晶体管的电信号发生改变，通过测试该电信号实现该外界磁场的探测。
2.如权利要求1所述的磁传感器，其特征是：所述的磁体呈薄膜状。
3.如权利要求2所述的磁传感器，其特征是：所述的磁体厚度为10纳米～1000纳米。
4.如权利要求1所述的磁传感器，其特征是：所述半导体衬底为微纳米尺寸。
5.如权利要求4所述的磁传感器，其特征是：所述半导体衬底的长度为10微米～500微米，宽度为5微米～100微米，厚度为1微米～50微米。
6.如权利要求1所述的磁传感器，其特征是：所述的源极、漏极与栅极为微纳米尺寸。
7.如权利要求6所述的磁传感器，其特征是：所述源极、漏极与栅极的长度和宽度均为1～200微米，厚度为纳米级。
8.如权利要求1至7中任一权利要求所述的磁传感器，其特征是：所述的磁传感器还包括基座，半导体衬底的一端固定在基座上，该端称为固定端，另一端为自由端。
9.如权利要求8所述的磁传感器，其特征是：所述基座为微纳米尺寸。
10.如权利要求8所述的磁传感器，其特征是：所述基座的长度为50微米～5000微米，宽度为10微米～1000微米，厚度为5微米～500微米。
11.如权利要求8所述的磁传感器，其特征是：所述磁体设置在靠近半导体衬底自由端的位置。
12.如权利要求11所述的磁传感器，其特征是：所述磁体设置在半导体衬底自由端的端部。
13.如权利要求1至7中任一权利要求所述的磁传感器，其特征是：所述源极、漏极与栅极设置在靠近半导体衬底固定端的位置。
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