[发明专利]磁传感器和磁传感器装置有效

专利信息
申请号: 201710130470.3 申请日: 2017-03-07
公开(公告)号: CN107167164B 公开(公告)日: 2020-11-06
发明(设计)人: 深井健太郎;有山稔 申请(专利权)人: 艾普凌科有限公司
主分类号: G01D5/14 分类号: G01D5/14;G01R33/06;G01R31/52;G01R31/54
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;邓毅
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供磁传感器和磁传感器装置。能够正确地判定磁传感器装置的布线的断线及短路等异常。磁传感器的输出控制电路具有:与输出端子连接的分压电路;和放大器,其控制与磁传感器的输出端子连接的MOS晶体管的栅极电压而使得分压电路的电压与基准电压相等,因此,磁传感器的输出电压由基准电压和分压电路的分压比决定。
搜索关键词: 传感器 装置
【主权项】:
一种磁传感器,该磁传感器的与判别电路的输入端子连接的输出端子通过上拉电阻而与外部电源端子连接,其特征在于,所述磁传感器具有:磁传感器元件;判定电路,其被输入所述磁传感器元件的输出电压;以及输出控制电路,其将所述判定电路的信号输出至所述磁传感器的输出端子,所述输出控制电路具有:第1电阻、第2电阻、第3电阻,它们串联连接于所述磁传感器的输出端子与接地端子之间;第1MOS晶体管,该第1MOS晶体管的栅极与所述判定电路的输出端子连接,漏极与所述第2电阻和所述第3电阻的接点连接,源极与接地端子连接;放大器,该放大器的反相输入端子与基准电压电路的输出端子连接,同相输入端子与所述第1电阻和所述第2电阻的接点连接;以及第2MOS晶体管,该第2MOS晶体管的栅极与所述放大器的输出端子连接,漏极与所述磁传感器的输出端子连接,源极与接地端子连接。
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