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[发明专利]一种具有多孔结构的压阻传感器及其制备方法-CN201910245198.2有效
发明人：王宗荣;简阅;陈国瑞;王珊;李皓盛;周麟铭;张震岳;苗雨欣;牛韶玉;刘剑;董亚波;王洪柱;杜丕一 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L41/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有多孔结构的压阻传感器及其制备方法，该压阻传感器结构由外至内依次包括：柔性保护层、电极片、压敏感应层，其中压敏感应层是以Ecoflex为基底，乙炔黑为导电相，采用米酒与淀粉共混发泡制成泡孔结构，其灵敏度在总的压力敏感区间上限可达到0.272kPa‑1。本发明中的压阻传感器及其制备方法新颖简单，性能优异且成本低廉，在生物医学检测与机器人领域具有巨大潜力和优势。
一种具有多孔结构传感器及其制备方法

[发明专利]一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料及其制备方法-CN201711169984.6有效
发明人：戴叶婧;吕玉凯;赵志浩 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L41/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，原料组分及其摩尔百分比含量为K0.5Na0.5NbO3‑xFe,其中0＜x≤0.01。按化学式分别配取碳酸钠、碳酸钾、五氧化二铌、草酸亚铁，球磨、烘干后再将混合原料于800～900℃预合成，再进行造粒、成型、排胶后于1070～1100℃烧结，制得高性能铌酸钾钠基无铅压电陶瓷。本发明既降低了烧结温度、减少了碱金属的挥发，又提高了应变性能，最大应变S～0.206％，逆压电系数d33*最大为600pm/V，压电系数d33为39～87pC/N。
一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]氮化铝基薄膜结构、半导体器件及其制备方法-CN202010793092.9有效
发明人：周云;宋维聪 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L41/16 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化铝基薄膜结构、半导体器件及其制备方法，氮化铝基薄膜的制备包括：提供形成有底部电极层的半导体基底，对底部电极层进行表面改性处理形成溅射辅助表面，在溅射辅助表面上形成第一氮化铝功能层，在第一氮化铝功能层上形成第二氮化铝功能层。本发明通过制备第一氮化铝功能层及第二氮化铝功能层，形成掺杂氮化铝薄膜，并通过沉积前进行表面改性处理形成溅射辅助表面，从而可以沉积均匀致密的掺杂氮化铝薄膜，可以有效地降低掺杂氮化铝薄膜内部的缺陷密度和提高其压电性能，能进一步极大地提升体声波滤波器产品的良率，为滤波器生产厂家带来可观的经济效益。
氮化薄膜结构半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种纵向梯度短纤维压电复合材料及其制备方法-CN201710752614.9有效
发明人：杨雄;王锋;付争兵;丁瑜;杜军 -专利权人：湖北工程学院
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L41/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种纵向梯度短纤维压电复合材料及其制备方法，涉及材料制备技术领域。该纵向梯度短纤维压电复合材料包括叉指电极和位于叉指电极的上下电极之间的压电纤维复合层，压电纤维复合层包括沿轴线方向依次粘结的多个短纤维压电复合单元，多个短纤维压电复合单元的轴向长度呈梯度变化，每个短纤维压电复合单元均包括多根极化短压电纤维和多根聚合物纤维。其在封装前就完成极化，极化完全且均匀不存在极化“死区”的问题，同时增强对非平面结构的适应性。该纵向梯度短纤维压电复合材料的制备方法，其制备上述纵向梯度短纤维压电复合材料，复合材料结构尺寸精确可控，容易实现压电纤维复合材料结构与性能系列化和批量化的制备。
一种纵向梯度短纤维压电复合材料及其制备方法

[发明专利]压电纤维复合层及其制备方法-CN201710767214.5在审
发明人：杨雄;王锋;付争兵;丁瑜;杜军 -专利权人：湖北工程学院
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L41/16 文献下载
摘要：本发明提供一种压电纤维复合层及其制备方法，涉及功能材料制备技术领域，其中，压电纤维复合层制备方法包括制备多个厚度尺寸梯度化的压电薄层；制备多个长度、宽度与压电薄层一致的聚合物薄层；压电薄层的数量比聚合物薄层的数量多一个；将多个压电薄层以及多个聚合物薄层进行间隔堆叠和固化，得到梯度压电复合结构；对梯度压电复合结构沿堆叠方向进行切割，得到压电纤维复合层；压电纤维复合层包括压电纤维与聚合物纤维。这种方法能够精确控制压电纤维复合层的结构参数，提高制备效率，有效缓解现有的制备梯度结构压电纤维复合层方法中，纤维间聚合物宽度难以控制、制备效率低下等问题。
压电纤维复合及其制备方法

[发明专利]高频压电晶体复合材料、用于制造其的装置和方法-CN201180047348.0有效
发明人： P·韩;J·田;K·曼尼欧;B·斯通 -专利权人： H.C.材料公司
申请日： 2011-10-13 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L41/16 文献下载
摘要：本发明一般涉及高频压电晶体复合材料、用于制造高频压电晶体复合材料的装置和方法。在适应性的实施方案中，包含成像换能器组件的用于高频(＞20MHz)应用的改进的成像装置、尤其是医学成像装置或距离成像装置与信号图像处理器耦合。另外，所提出的发明提供了用于基于光刻法的微加工压电晶体复合材料的系统及其使得性能参数改进的应用。
高频压电晶体复合材料用于制造装置方法

[实用新型]取向性碱土金属钛酸盐压电复合薄膜-CN201620222113.0有效
发明人：胡登卫;潘拴拴;牛晓梅;杨得锁;王晓玲;王宏社;赵卫星;赵立芳;郭进宝 -专利权人：宝鸡文理学院
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2016-09-14 - 主分类号： H01L41/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种取向性碱土金属钛酸盐压电复合薄膜。该复合薄膜从上至下依次为上层电极、钛酸盐层和下层电极，所述的钛酸盐层是由取向性碱土金属钛酸盐A颗粒、取向性碱土金属钛酸盐B颗粒按照晶轴取向一致的方式交替整齐排例而成，且两种颗粒中的碱土金属不同。由于两种碱土金属钛酸盐晶格常数很接近，致使在它们颗粒接触面发生晶格扭曲，产生应力，易产生极化反转，促使提升复合薄膜的压电响应。
向性碱土金属钛酸盐压电复合薄膜

[发明专利]一种基于压电材料有源层的TFT结构及其制备方法-CN201510281704.5在审
发明人：叶芸;郭太良;陈恩果;康冬茹;林连秀;汪江胜 -专利权人：福州大学
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： H01L41/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于压电材料有源层的TFT结构及其制备方法，该TFT包括基板、栅极、绝缘层、有源层、源极和漏极，所述有源层是由添加有压电材料的氧化物或有机物制作而成。TFT器件采用添加有压电材料的氧化物或有机物作为有源层，由于压电材料的特性，施加栅极和漏极电压时，有源层中沟道会受到机械力而形变，增加了沟道层的载流子浓度，还提高载流子移动速度，综合起来都降低器件的阈值电压。基于压电材料的TFT结构更为精密且控制简单，可以降低阈值电压，提高迁移率，改善TFT性能。
一种基于压电材料有源 tft 结构及其制备方法

[发明专利]高频压电晶体复合材料、用于制造其的装置和方法-CN201180047368.8有效
发明人： P·韩;J·田;K·曼尼欧;B·斯通 -专利权人： H.C.材料公司
申请日： 2011-10-13 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L41/16 文献下载
摘要：本发明一般涉及高频压电晶体复合材料、用于制造高频压电晶体复合材料的装置和方法。在适应性的实施方案中，包含成像换能器组件的用于高频(＞20MHz)应用的改进的成像装置、尤其是医学成像装置或距离成像装置与信号图像处理器耦合。另外，所提出的发明提供了用于基于光刻法的微加工压电晶体复合材料的系统及其使得性能参数改进的应用。
高频压电晶体复合材料用于制造装置方法

[发明专利]一种磁电复合材料及其制备方法-CN201210134771.0无效
发明人：王寅岗;洪贺;毕科 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2012-05-03 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L41/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁电复合材料及其制备方法，所述复合材料是由径向极化的圆环状压电材料、负磁致伸缩层和正磁致伸缩层复合而成的复合结构。制备方法是首先对圆环状压电材料进行正磁致伸缩层的沉积，然后使用金相砂纸将压电材料外侧的正磁致伸缩层打磨去除，用防水耐热型硅橡胶将圆环的内侧封死，对外表面进行负磁致伸缩层沉积，在除去硅橡胶后进行极化处理即得到磁电复合材料。本发明利用不同位置正负磁致伸缩的材料对圆环状压电材料的共同挤压作用，与同类型的单独正磁致伸缩材料组成圆环状磁电复合材料或单独负磁致伸缩材料组成的圆环状磁电复合材料相比，增大了层间的力传递从而具有更大的磁电效应。
一种磁电复合材料及其制备方法

[发明专利]多基元压电复合材料及其制备方法和应用-CN201110394990.8有效
发明人：黄世峰;叶正茂;芦令超;徐东宇;周美娟;程新 -专利权人：济南大学
申请日： 2011-12-02 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L41/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种多基元的压电复合材料及其制备方法，所述多基元压电复合材料是由压电陶瓷/聚合物复合材料和去耦材料组成的1-3-2型复合材料，所述压电陶瓷/聚合物复合材料以压电陶瓷为骨架，以聚合物为基体，并附有上、下电极，所述压电陶瓷骨架包括基板和连接于其上的压电陶瓷柱，所述去耦材料填充在压电陶瓷/聚合物压电复合材料中并将压电陶瓷/聚合物复合材料分割成多个结构相同的基元，每个基元的上电极不连续本发明通过加入去耦材料，将整个复合材料分割形成多个基元，制备工艺简单，所得多基元材料性能优异、一致性好、耦合性低，在换能器领域具有广阔的应用前景。
多基元压电复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种薄膜磁电复合材料及制备方法-CN200910235642.9有效
发明人：李扩社;于敦波;李红卫;徐静;张世荣 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研稀土新材料股份有限公司
申请日： 2009-10-20 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L41/16 文献下载
摘要：一种薄膜磁电复合材料及其制备方法，属于磁性功能材料及制备技术领域。磁电复合材料特征在于：由磁致伸缩薄膜层、导电薄膜层和压电陶瓷衬底复合而成。制备方法是在做好电极的压电衬底上采用物理气相沉积(PVD)技术沉积一层磁致伸缩薄膜。该磁电复合材料界面复合强度高、结构简单、有效避免了铁电铁磁两相间的相反应，具有良好的磁电转换系数，高频涡流损耗小、性能稳定、尺寸轻薄，非常适合制备微型传感器件。此外，该制备方法简单可行、成本低廉，克服了层叠磁电复合材料及传统薄膜磁电复合材料制备工艺复杂、成本高等缺点。
一种薄膜磁电复合材料制备方法

[实用新型]电、磁激励超大形变智能复合材料体-CN200620024802.7无效
发明人：杨斌堂 -专利权人：杨斌堂
申请日： 2006-06-21 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： H01L41/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可产生形变的复合材料体，尤其涉及一种可由电、磁激励产生超大形变智能复合材料体，包括磁性体与基体，其中磁性体长度方向和宽度方向尺寸不同，基体内设置空穴，磁性体被包裹在空穴中，本复合材料体一定程度上可替代现有的磁致伸缩材料，它可以产生超大形变，而且具有既可电致伸缩又可磁致伸缩的特性，使伸缩材料体外观简洁，整体结构紧凑。
激励超大形变智能复合材料

[发明专利]压电元件-CN200510134635.1无效
发明人：清水秀树;海老个濑隆;北川睦;柏屋俊克 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2005-12-13 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： H01L41/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种压电元件，该压电元件具有极高压电特性，同时，基体和压电部之间的振动传递性优良，直至达到高电压区域弯曲位移相对电压的直线性高，即使在大的弯曲位移下长期使用时也显示出高的耐久性。本发明的压电元件具备由陶瓷构成的基体2、由其组成以规定的式表示的Pb(Mg、Ni)_1/3Nb_2/3O₃－PbZrO₃－PbTiO₃三组分固溶系组合物作为主成分的压电陶瓷组合物构成的压电部1以及与压电部1电连接的电极3，压电部1直接或者通过电极3固定在基体2上。
压电元件

[发明专利]弯曲共振型磁电复合材料及制法-CN200510095333.8无效
发明人：万建国;刘俊明;王广厚 -专利权人：南京大学
申请日： 2005-11-08 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： H01L41/16 文献下载
摘要：一种磁电复合材料，它是由磁致伸缩材料矩形片和相同形状、上下表面具有一对平面电极的、沿着厚度方向极化压电材料矩形片层合而成的磁电复合材料。沿着长度方向对上述磁电复合材料矩形片施加一交流磁场和一直流偏置磁场，当施加的交流磁场频率等于上述磁电复合材料矩形片的一阶弯曲共振频率时，上述磁电复合材料矩形片将发生弯曲共振，压电层输出电压，实现磁能到电能的转换。当所施加的直流偏置磁场强度适当时，压电层输出的电压达到最大，并且能量转换效率也达到最大。本发明的磁电复合材料同径向或纵向共振耦合模式相比，其弯曲共振频率极低，并具有较高的磁电耦合效率，同时仍能保持较高的磁电耦合输出，可以有效实现磁电耦合元件的小型化。
弯曲共振磁电复合材料制法

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