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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]磁传感器-CN201410599335.X在审
发明人：韦斯特利·S·阿舍 -专利权人：阿森松技术公司
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：本发明涉及跟踪对象的磁传感器、系统以及方法。除了其它方面，本公开内容的特征在于包括传感器、DC磁场源、AC磁场源和接收器的系统。该传感器具有10:1或更高的纵横比，并且该传感器包括铁磁材料。该铁磁材料具有非线性磁化响应，并且该响应包含非线性最大点。DC磁场源能够进行调节以用于提供磁激励场，以在传感器内激发磁场。所提供的磁激励场具有下述范围：所述范围使得在传感器内所激发的磁场在非线性最大点附近。AC磁场源被配置成生成AC磁场以使传感器生成偶次谐波。接收器被配置成接收来自传感器的偶次谐波以用于确定传感器的位置。
传感器

[发明专利]磁传感器-CN201410602571.2在审
发明人：青木亮祐;福冈诚二;木户利尚 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： G07D7/04 文献下载
摘要：本发明提供一种磁传感器，与现有技术比较，能够抑制识别对象扭曲导致的输出变动。磁传感器具备：中空磁铁(1)、基板(2)、磁检测元件(3)。中空磁铁(1)为具有贯通孔(1a)的圆筒磁铁。磁检测元件(3)搭载于基板(2)上。磁检测元件(3)以能够检测x方向的磁场成分的变动的方式设置。磁检测元件(3)的感磁点(3a)位于中空磁铁(1)的中心轴上。作为识别对象的纸币(4)在x方向输送，以横穿磁检测元件(3)的z方向+侧的方式通过。纸币(4)的通过区域包括从中空磁铁(1)及磁检测元件(3)越向z方向+侧离开，磁通密度越大的特定区域。
传感器

[发明专利]磁传感器-CN201710847115.8在审
发明人：罗豪甦;马甲帅;方聪;姚蒙;狄文宁;李晓兵;杨林荣;林迪 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： G01R33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁传感器，包括支撑结构；和嵌于所述支撑结构上的三个相互正交的层状磁电复合材料，每个所述层状磁电复合材料均由一层压电材料，两层磁致伸缩材料，两层自偏置材料和四层粘合剂材料组成。本发明的磁传感器功耗低、体积小、稳定度高、分数带宽小、矢量型、正交性好。
传感器

[发明专利]磁传感器-CN201711360565.0在审
发明人：中西秀之;新村耕二;杉本拓也 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明提供一种磁传感器，能拓宽磁阻元件的被检测物的检测范围。感磁部(120a、120b)包括：多个单位感磁体(124a、124b)；以及多个连接导体(125a、125b)，在多个单位感磁体(124a、124b)中相互相邻的单位感磁体(124a、124b)彼此之间各配置有一个从而将多个单位感磁体在磁阻元件(100)的表面中形成有感磁部(120a、120b)的感磁区域(12a、12b)具有长边方向(L)以及短边方向(S)。
感磁体多个单位长边感磁磁传感器磁阻元件引出电极短边被检测物连接导体感磁部两端部中央部磁部检测配置

[发明专利]磁传感器-CN201811329222.2在审
发明人：内田圭祐;渡部司也 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： G01B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁传感器，所述磁传感器具有细长的元件部，其表现出磁阻效应并具有沿其短轴方向的磁敏轴。
元件部长轴磁传感器短轴彼此连接短轴方向假想椭圆磁阻效应方向观察磁敏垂直表现

[发明专利]磁传感器-CN201811284589.7在审
发明人：内田圭祐;斋藤祐太 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： G01B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁传感器，其具有：元件部，其具有磁阻效应和指向预定方向的磁敏轴；以及软磁性体，其配置在所述元件部附近，并且从所述磁敏轴的方向来看，其沿着除其两个端部以外的部分中的至少一部分面向所述元件部。
元件部磁传感器软磁性体磁敏磁阻效应预定方向突出面指向配置

[发明专利]磁传感器-CN201980023034.3在审
发明人：五木田刚男 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明提供一种即使作为测量对象的磁场微弱，也能够通过闭环控制检测磁场的磁传感器。本发明的磁传感器具备：磁性体层(41、42)，其经由磁隙(G1)而互相相对；磁敏元件(R1)，其配置于由磁隙(G1)形成的磁路上；以及补偿线圈(60)，其生成抵消施加于磁敏元件(R1)的磁通磁轭发挥功能的磁性体层(41、42)中流通的磁通施加于磁敏元件(R1)，因此即使作为测量对象的磁场微弱，也能够进行检测。
传感器

[发明专利]磁传感器-CN202011346355.8在审
发明人：牧野健三;太田宪和 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：磁传感器具有至少一个MR元件和线圈。线圈包含至少一个导体部分。
传感器

[发明专利]磁传感器-CN201910977680.5在审
发明人：高野研一;斋藤祐太 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：一种磁传感器(1)，其具有根据外部磁场改变磁化方向的自由层(26)；参考层(24)，其磁化方向相对于外部磁场固定；位于自由层(26)和参考层(24)之间且具有磁阻效应的间隔层(25)；钉扎层(22)，其与间隔层满足关系‑2.5≤λP/λR≤0.5(不包括0)，其中λR是参考层的磁致伸缩系数，λP是钉扎层的磁致伸缩系数。
传感器

[发明专利]磁传感器-CN202011173052.0在审
发明人：若林顺哉 -专利权人：株式会社东海理化电机制作所
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高传感器封装件与磁铁的定位精度的磁传感器。磁传感器(1)具备：传感器封装件(100)、和磁铁(200)。传感器封装件(100)具有：多个引线框(110)、磁传感器元件(120)、以及密封体(130)。多个引线框(110)包含：第一外引线(111)、和第二外引线(112)。
传感器

[发明专利]磁传感器-CN202010972764.2在审
发明人：斋藤祐太;平林启;工藤良弘 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：一种磁传感器，其包括：包含磁阻效应元件的磁传感器芯片、以及将磁传感器芯片一体地密封的密封部，磁阻效应元件包含磁化方向能够根据外部磁场改变的自由层、以及磁化方向固定的钉扎层。
传感器

[发明专利]磁传感器-CN202080041266.4在审
发明人：远藤大三;筱龙德;坂胁彰;利根川翔;渡边恭成 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G01R33/06 文献下载
摘要：磁传感器具备非磁性的基板和感应元件31，所述感应元件31具有长边方向和短边方向，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场，感应元件31具有多个软磁体层105a～105d、和由非磁体构成且层叠于多个软磁体层
传感器

[发明专利]磁传感器-CN202080034256.8在审
发明人：筱龙德 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：磁传感器1具备：非磁性的基板；和感应元件部31，其设置于基板上且由多个感应元件311、312并联连接而成，所述感应元件由软磁体构成，具有长边方向和短边方向，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，通过磁致阻抗效应来感应磁场
传感器

[发明专利]磁传感器-CN202110974817.9在审
发明人：远藤大三;坂胁彰 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G01R33/06 文献下载
摘要：本发明涉及磁传感器。本发明的课题是抑制利用了磁致阻抗效应的磁传感器的输出中的S/N的降低。本发明的磁传感器(1)具备感应元件(31)，所述感应元件(31)具有多个软磁体层(105)、和设置于多个软磁体层之间的非磁性非晶金属层(106)，夹持非磁性非晶金属层(106)而相对的软磁体层(105)是经反铁磁性耦合的，所述感应元件(31)通过磁致阻抗效应来感应磁场。
传感器

[发明专利]磁传感器-CN202111181840.9在审
发明人：利根川翔;坂胁彰;渡边恭成;远藤大三;野口智之;宫本裕太 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明涉及磁传感器。本发明的课题为：在利用了磁阻抗效应的磁传感器中，与感应元件的短边方向的宽度从长边方向的一端至另一端相等的情况相比，使灵敏度提高。本发明的解决手段为：磁传感器具备非磁性的基板、和设置于前述基板上且由软磁体形成的感应元件，所述感应元件具有长边方向和短边方向，在与该长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，该长边方向的中央部的宽度小于该长边方向的两端部
传感器

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