[实用新型]新型GaN基LED器件结构有效
| 申请号： | 201721790781.4 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN207800631U | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 张捷 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/32;H01L33/38;H01L33/64 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延层 紫外光 器件结构 导电 蓝光 本实用新型 金属电极层 层叠分布 量子阱层 阴极电极 反光层 势垒层 衬底 衬底材料 衬底转移 间隔排列 散热效率 使用寿命 提升器件 阳极电极 蓝宝石 热导 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型GaN基LED器件结构，其特征在于，包括：
导电衬底(410)；
反光层(40)，设置于所述导电衬底(410)上；
金属电极层(407)，设置于所述反光层(40)上；
多个GaN蓝光外延层(10)和多个GaN紫外光外延层(20)，依次间隔排列设置于所述金属电极层上；其中，所述GaN蓝光外延层(10)包括依次周期层叠分布的GaN势垒层(104a)和InGaN量子阱层(104b)，所述GaN紫外光外延层(20)包括依次周期层叠分布的Al1-yGayN势垒层(204a)和Al1-xGaxN量子阱层(204b)；
第一阴极电极(51)，设置于所述GaN蓝光外延层(10)上；
第二阴极电极(52)，设置于所述GaN紫外光外延层(20)上；
阳极电极(53)，设置于所述导电衬底(410)下。
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