[实用新型]一种离子植入机及其气体冷却监控系统

说明书

本实用新型提供一种离子植入机及其气体冷却监控系统，包括：反应腔室，设置于所述反应腔室内的冷却台，所述冷却台通过设置于所述冷却台底部的冷气管路与供气装置连接，所述冷气管路上设置有第一单向阀，所述第一单向阀与所述冷却台之间的冷气管路上连接有真空计；连接于所述离子植入机的数据采集模块；从所述数据采集模块获取所述离子植入机的工作数据，并根据工作数据对所述离子植入机进行控制的数据监测控制模块。本实用新型通过设置于冷却台底部的冷气输入端的真空计，实时监测离子植入过程中气体冷却系统的工作状态，避免晶圆表面光刻胶产生糊胶现象，提高晶圆成品率。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，特别是涉及一种离子植入机及其气体冷却监控系统。

背景技术

离子植入是半导体制造领域广泛应用的一种技术，它是一种想半导体材料中引入杂质以改变半导体材料电学性能的方法。在离子植入过程中采用气体冷却是保持晶圆较低温度的方法之一。离子植入机是实现离子植入工艺的设备，其为离子植入工艺提供了密闭的工作腔室、较低的环境温度及其他必要的工艺条件。

如图1所示，在现有技术中，离子植入机包括一个密闭的腔室11，所述腔室11的内部设置有冷却台12，所述冷却台12通过冷气管路14连接供气装置13，所述冷气管路14上设置有单向阀15，所述腔室11的内部设置有真空计16。

如图1～图2所示，其工作原理如下：

首先，所述单向阀15打开后立即关闭，所述供气装置13通过所述冷气管路14向所述腔室11中通入气体；当气体通入前后所述腔室11中的真空度会发生突变，所述真空计16检测到真空度的突变，输出一波峰信号，通过读取该波峰信号可知晓所述离子植入机的气体冷却系统正常。之后将晶圆载入到所述冷却台12上，所述供气装置13在离子植入过程中为所述冷却台12提供冷气，以避免晶圆表面光刻胶出现糊胶现象。但是此时，没有任何设备对所述离子植入机的气体冷却系统进行监控(包括所述真空计16)，也就无法确保离子植入过程中冷却系统不出现问题，晶圆表面光刻胶糊胶现象得不到控制将大大增加，进而增加晶圆的报废量。

因此，如何确保离子植入过程中对冷却系统的实时监控，避免晶圆表面光刻胶产生糊胶现象，提高晶圆成品率，已成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种离子植入机及其气体冷却监控系统，用于解决现有技术中离子植入过程中对冷却系统未进行实时监控，进而导致晶圆表面光刻胶糊胶，影响晶圆成品率等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种离子植入机，所述离子植入机至少包括：

反应腔室，设置于所述反应腔室内的冷却台，所述冷却台通过设置于所述冷却台底部的冷气管路与供气装置连接，所述冷气管路上设置有第一单向阀，所述第一单向阀与所述冷却台之间的冷气管路上连接有真空计。

优选地，所述冷却台的底部设置有冷气管路连接口，所述冷却台的上表面设置有出气口，所述冷气管路连接口与所述出气口通过所述冷却台内部的气体通路连接。

更优选地，所述冷却台为圆形结构，所述出气口设置于所述冷气台上表面的外侧圆周上。

优选地，所述第一单向阀与所述供气装置之间设置有一三通阀；所述三通阀分别连接所述单向阀、所述供气装置及一排气装置，所述排气装置与所述三通阀之间的排气管路上设置有第二单向阀。

优选地，所述供气装置的输出端设置有流量控制装置。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型还提供一种离子植入机的气体冷却监控系统，所述离子植入机的气体冷却监控系统至少包括：

上述离子植入机；

连接于所述离子植入机的数据采集模块；