[实用新型]一种离子植入机及其气体冷却监控系统有效
| 申请号： | 201721615606.1 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN207503930U | 公开（公告）日： | 2018-06-15 |
| 发明（设计）人： | 石志平;洪纪伦;倪明明;吴宗祐;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子植入机 冷却台 冷气管路 数据采集模块 本实用新型 工作数据 监控系统 气体冷却 单向阀 真空计 晶圆 供气装置连接 离子植入过程 气体冷却系统 反应腔室 控制模块 实时监测 数据监测 成品率 反应腔 冷气 室内 | ||
1.一种离子植入机，其特征在于，所述离子植入机至少包括：
反应腔室，设置于所述反应腔室内的冷却台，所述冷却台通过设置于所述冷却台底部的冷气管路与供气装置连接，所述冷气管路上设置有第一单向阀，所述第一单向阀与所述冷却台之间的冷气管路上连接有真空计。
2.根据权利要求1所述的离子植入机，其特征在于：所述冷却台的底部设置有冷气管路连接口，所述冷却台的上表面设置有出气口，所述冷气管路连接口与所述出气口通过所述冷却台内部的气体通路连接。
3.根据权利要求2所述的离子植入机，其特征在于：所述冷却台为圆形结构，所述出气口设置于所述冷气台上表面的外侧圆周上。
4.根据权利要求1所述的离子植入机，其特征在于：所述第一单向阀与所述供气装置之间设置有一三通阀；所述三通阀分别连接所述单向阀、所述供气装置及一排气装置，所述排气装置与所述三通阀之间的排气管路上设置有第二单向阀。
5.根据权利要求1所述的离子植入机，其特征在于：所述供气装置的输出端设置有流量控制装置。
6.一种离子植入机的气体冷却监控系统，其特征在于，所述离子植入机的气体冷却监控系统至少包括：
如权利要求1～5任意一项所述的离子植入机；
连接于所述离子植入机的数据采集模块；
从所述数据采集模块获取所述离子植入机的工作数据，并根据工作数据对所述离子植入机进行控制的数据监测控制模块。
7.根据权利要求6所述的离子植入机的气体冷却监控系统，其特征在于：所述数据采集模块连接所述离子植入机中各阀门、真空计及流量控制装置中的一个或几个。
8.根据权利要求6所述的离子植入机的气体冷却监控系统，其特征在于：所述数据采集模块还连接一直观显示监控数据的监控屏幕。
9.根据权利要求6所述的离子植入机的气体冷却监控系统，其特征在于：所述数据采集模块与所述数据监测控制模块之间还设置有对所有机台数据进行管理的IT数据中心。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
