[实用新型]太阳能电池硅片承载装置以及传输系统

说明书

本实用新型公开了一种太阳能电池硅片承载装置以及传输系统，其中前者包括托盘、掩膜辅助件和定位件，托盘的一侧表面上设置有隔空槽和容纳槽，隔空槽和容纳槽成台阶状分布，且隔空槽位于容纳槽的下方；掩膜辅助件盖合于容纳槽上，掩膜辅助件上开设有掩膜孔，掩膜孔与容纳槽相通，且掩膜孔的周向设置有遮挡部，遮挡部遮挡容纳槽的边沿，定位件连接在托盘和掩膜辅助件之间，且定位件的一侧与容纳槽的侧壁相切。使用时，将太阳能电池硅片装载于太阳能电池硅片承载装置中，可以使太阳能电池硅片在传输时受到保护，避免了太阳能电池硅片破碎的问题发生，另外，掩膜孔还可以辅助太阳能电池硅片镀膜，而定位件起到定位和引导放置太阳能电池硅片的作用。

技术领域

本实用新型涉及工件的装载技术领域，尤其涉及一种太阳能电池硅片承载装置以及传输系统。

背景技术

太阳能电池，是基于光生伏特效应开发出来的一种光电转换器件，目前国际光伏市场上的太阳能电池主要有晶体硅(包括单晶硅、多晶硅)、非晶/单晶异质结(HIT)、非晶硅薄膜、碲化镉(CdTe)薄膜及铜铟硒 (CIS)薄膜太阳能电池等。其中晶体硅太阳能电池仍占主流，其光电转化效率已达25％，其计算的转换效率的极限值为31％。

晶体硅太阳能电池的生产制造过程中，硅片是最主要的原材料，而最核心的工艺是通过PVD、PECVD等工艺在硅片的表面沉积一层或多层固态薄膜。由于硅片尺寸较小(约156×156×0.18mm)且易碎，因此，加工太阳能电池的过程中，需要保证硅片的传输稳定性和定位可靠性。

目前，硅片的传输采用传输带直接传送，很容易导致硅片破碎，从而造成不可挽回的损失。

另外，太阳能电池在镀膜过程一般为在硅片或衬底上沉积多层膜层，而在镀膜的过程中，膜层也会沉积在膜层的侧面，为了避免后续各膜层之间的产生漏电现象，需要对镀膜完成后的电池片的侧面进行绝缘处理。

目前对电池片的侧面进行绝缘处理的方式为利用打磨工具将电池片侧面的膜层打磨掉，然而该打磨过程也容易造成电池片的破损，降低生产效率。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种太阳能电池硅片承载装置以及传输系统，以解决上述问题，使用承载装置将太阳能电池硅片装载，以使太阳能电池硅片传输时受到保护，并且在镀膜过程中避免太阳能电池的侧面镀膜，进而避免太阳能电池硅片破碎。

本实用新型提供的太阳能电池硅片承载装置，包括：

托盘，所述托盘的一侧表面上设置有隔空槽和容纳槽，所述隔空槽和所述容纳槽成台阶状分布，且所述隔空槽位于所述容纳槽的下方；

掩膜辅助件，所述掩膜辅助件盖合于所述容纳槽上，所述掩膜辅助件上开设有掩膜孔，所述掩膜孔与所述容纳槽相通，且所述掩膜孔的周向设置有遮挡部，所述遮挡部遮挡所述容纳槽的边沿；

定位件，所述定位件一端插设于所述托盘上，另一端插设至所述掩膜辅助件上，且所述定位件的一侧与所述容纳槽的侧壁相切。

如上所述的太阳能电池硅片承载装置，其中，优选的是，所述容纳槽和所述掩膜孔的形状均为方形，所述容纳槽的边长比所述掩膜孔靠近所述容纳槽一端的边长大设定值；

所述掩膜辅助件盖合于所述容纳槽上时，所述容纳槽的横向中心轴和纵向中心轴分别与所述掩膜孔的横向中心轴和纵向中心轴相重合。

如上所述的太阳能电池硅片承载装置，其中，优选的是，所述掩膜孔包括竖直孔段和扩口孔段，所述扩口孔段靠近所述竖直孔段的一端的横截面的面积小于远离所述竖直孔段的一端的横截面的面积；

所述竖直孔段的横截面的面积小于所述容纳槽的横截面的面积；

所述掩膜辅助件盖合于所述容纳槽上时，所述竖直孔段与所述容纳槽相配合。