[实用新型]一种芯片封装结构

说明书

本实用新型公开了一种芯片封装结构，该芯片封装结构包括基板，依次堆叠于所述基板一侧的第一芯片、缓冲层和第二芯片，其中所述缓冲层在所述基板上的垂直投影以及所述第二芯片在所述基板上的垂直投影位于所述第一芯片在所述基板上的垂直投影内；位于所述第一芯片远离所述基板的一侧表面的电源焊盘，所述电源焊盘在所述基板上的垂直投影全部或部分位于所述第二芯片在所述基板上的垂直投影内，所述电源焊盘通过导线直接或间接与所述基板电连接，以使所述基板向所述第一芯片供电。本实用新型实施例提供的技术方案可以实现减小封装体积以及扩大打线范围等效果。

技术领域

本实用新型实施例涉及芯片封装工艺，尤其涉及一种芯片封装结构。

背景技术

随着电子产业的蓬勃发展，电子产品逐渐迈入多功能、高性能的研发方向，以满足半导体封装件高度集成度和微型化的封装需求。

一般在单一封装件的芯片承载件上接置至少两个半导体芯片，两芯片间需要互相打线时，为了节省空间，会采用堆叠方式接置。当需要增加主芯片的供电能力时，需要在芯片中心附近增加电源焊盘，打线到基板以增加其供电能力。图1是现有技术中一种芯片封装结构的截面示意图。如图1所示，一般会采用主芯片在上，副芯片在下，并且以缓冲芯片填充主芯片下方空间的封装结构。而这种封装结构为了能使主芯片与副芯片之间可以打线连接，通常会采用将副芯片与主芯片错开的堆叠方式，这种堆叠结构会增大封装体积，增加封装成本。

实用新型内容

本实用新型提供一种芯片封装结构，以达到减少封装体积，节省封装成本的目的。

本实用新型实施例提出一种芯片封装结构，该芯片封装结构包括基板，依次堆叠于所述基板一侧的第一芯片、缓冲层和第二芯片，其中所述缓冲层在所述基板上的垂直投影以及所述第二芯片在所述基板上的垂直投影位于所述第一芯片在所述基板上的垂直投影内；

位于所述第一芯片远离所述基板的一侧表面的电源焊盘，所述电源焊盘在所述基板上的垂直投影全部或部分位于所述第二芯片在所述基板上的垂直投影内，所述电源焊盘通过导线直接或间接与所述基板电连接，以使所述基板向所述第一芯片供电。

可选的，所述电源焊盘位于所述第一芯片远离所述基板的一侧表面的中心区域。

可选的，芯片封装结构还包括第一焊盘，所述第一焊盘位于所述电源焊盘远离所述第一芯片中心区域的一侧，所述第一焊盘用于在所述电源焊盘通过导线与所述基板间接电连接时，桥接所述电源焊盘与所述基板之间的导线。

可选的，所述缓冲层在所述基板上的垂直投影面积小于所述第二芯片在所述基板上的垂直投影面积。

可选的，所述缓冲层包括多个间隔设置的子缓冲层，所述多个子缓冲层用于支撑所述第二芯片，以在所述第一芯片远离所述基板一侧的表面预留所述电源焊盘的设置区域。

可选的，芯片封装结构，还包括位于所述第一芯片远离所述基板一侧表面的第二焊盘，位于所述第二芯片远离所述基板一侧表面的第三焊盘，所述第二焊盘与所述第三焊盘通过导线电连接。

可选的，所述第二焊盘与所述基板通过导线电连接，所述第三焊盘与所述基板通过导线电连接，以实现所述基板对所述第一芯片和所述第二芯片的控制。

可选的，所述缓冲层为缓冲芯片，所述缓冲芯片为无功能电路的空白芯片。

可选的，所述第一芯片的面积为S1，其中7000μm2≤S1≤8000μm2；所述第二芯片的面积为S2，其中4000μm2≤S2≤6000μm2。

可选的，在垂直于所述基板的方向上，所述第一芯片的厚度为L1，其中，100μm≤L1≤200μm；所述第二芯片的厚度为L2，其中100μm≤L2≤200μm。