[实用新型]一种封装结构有效
| 申请号: | 201721305892.1 | 申请日: | 2017-10-11 |
| 公开(公告)号: | CN207250494U | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
| 发明(设计)人: | 何志宏;林正忠;林章申 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/498;H01L25/07;H01L27/146 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人: | 余明伟 |
| 地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 封装 结构 | ||
1.一种封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:
重新布线层,所述重新布线层包括第一面以及与所述第一面相对的第二面,所述重新布线层包括介质层以及金属布线层;
金属凸块,所述金属凸块形成于所述重新布线层第一面上;
CMOS图像传感器芯片与逻辑芯片,所述CMOS图像传感器芯片及所述逻辑芯片正面具有金属焊点,所述金属焊点装设于所述重新布线层第二面上与所述重新布线层实现相互之间的电连接;
封装材料,形成于所述重新布线层的第二面上,所述CMOS图像传感器芯片背面裸露于所述封装材料。
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述介质层的材料包括环氧树脂、硅胶、氧化硅、磷硅玻璃,含氟玻璃中的一种或两种以上组合,所述金属布线层的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。
3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述重新布线层包括N层金属布线层,N≥1。
4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述金属凸块包括焊料凸点;或者所述金属凸块包括金属柱以及位于金属柱上方的焊料凸点。
5.根据权利要求4所述的封装结构,其特征在于:所述金属柱的材料包括铜、镍中的一种,所述焊料凸点的材料包括铜、镍、锡及银中的一种或包含上述任意一种焊料金属的合金。
6.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述CMOS图像传感器芯片包括前照式、背照式CMOS图像传感器芯片中的一种或两种以上组合。
7.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于:所述背照式CMOS图像传感器芯片自上而下包括玻璃层、微透镜、彩色滤光镜、光电二极管和电路层。
8.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述金属焊点的材料包括铜、镍、锡及银中的一种或包含上述任意一种焊料金属的合金。
9.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述CMOS图像传感器芯片和所述逻辑芯片均与所述重新布线层之间具有间隙,所述间隙中形成有保护层,所述保护层填充所述间隙,所述保护层的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。
10.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述封装材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。
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