[实用新型]喷嘴支架、工艺腔室和半导体处理设备有效
申请号: | 201721018277.2 | 申请日: | 2017-08-15 |
公开(公告)号: | CN207398075U | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | 孙宝林 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;姜春咸 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷嘴 支架 工艺 半导体 处理 设备 | ||
本实用新型公开了一种喷嘴支架、一种工艺腔室和一种半导体处理设备。喷嘴支架用于将喷嘴固定在顶盖上,包括本体,该本体上设置有安装孔,该安装孔用于放置喷嘴,顶盖上设置有至少一个旋紧配合槽,喷嘴支架还包括自本体向远离安装孔的方向凸出的至少一个旋紧配合部,该旋紧配合部与旋紧配合槽相对应,喷嘴支架相对顶盖具有锁止位置和拆卸位置;喷嘴支架处于锁止位置时,旋紧配合部旋入旋紧配合槽中,喷嘴支架处于拆卸位置时,旋紧配合部旋出旋紧配合槽。该结构的喷嘴支架,配合相应地顶盖,可以实现喷嘴支架与顶盖的快速拆装,且能够有效保护顶盖和喷嘴支架,避免出现损坏等现象发生,提高经济效益。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种喷嘴支架、一种包括该喷嘴支架的工艺腔室以及一种包括该工艺腔室的半导体处理设备。
背景技术
目前,等离子体装置广泛应用于制造集成电路(IC,Integrate dCircuit)或微机电系统(MEMS,Micro-Electro-Mechanical System)器件的制造工艺中。其中电感耦合等离子体装置(ICP,Inductive Coupled Plasma Emission Spectrometer)被广泛应用于刻蚀等工艺中,其原理是:在低压下,反应气体在射频功率的激发下,产生电离形成等离子体。等离子体是由带电的电子和离子组成,反应腔室中的气体在电子的撞击下,除了转变成离子外,还能吸收能量并形成大量的活性反应基团。活性反应基团和被刻蚀物质表面形成化学反应并形成挥发性的反应生成物。反应生成物脱离被刻蚀物质表面,并被真空系统抽出腔体。
如图1所示,为传统的工艺腔室200的结构示意图。该工艺腔室200主要包括腔体210、盖设在腔体210顶端的顶盖220、设置在顶盖220上且与腔体210内部连通的喷嘴230、位于顶盖220上方的线圈240、与线圈240电连接的射频(RF,Radio Frequency)电源和偏压电源。该工艺腔室200按如下过程工作:工艺气体通过管路由固定在顶盖220上的喷嘴230进入腔体210内,在施加了射频电源的线圈240的激发下,工艺气体电离成等离子体(Plasma)A,等离子体A在偏压电源的驱动下,对固定在卡盘250上的晶片(Wafer)260进行沉积刻蚀,刻蚀后的生成物通过分子泵(Turbo Pump)270抽走。
其中,上述工艺腔室200中的喷嘴230,其是气体能够均匀进入到腔体210内部的一个进气口,其密封与拆装环节的性能也直接影响到整个工艺腔室200的维护性能。
如图2所示,为上述工艺腔室200中所采取的固定喷嘴230的喷嘴支架100的结构示意图。如图2所示,喷嘴230安装在石英制成的顶盖220中,两者之间有密封圈280,工程塑料材质的喷嘴支架100下部有三个卡钩150,利用卡钩150卡在顶盖220的环槽226中,喷嘴压环290压住喷嘴230并与喷嘴支架100连接成一体,保证了密封圈280有足够的压缩量,确保喷嘴230与顶盖220的安装与密封。
但是,由于刻蚀后的生成物会沉积在顶盖220上,故顶盖220需要经常维护保养,由此喷嘴230需要经常拆装,如图2所示的结构,拆装喷嘴230很不方便,拆装时要压缩喷嘴支架100下部的三个卡钩150,而喷嘴230附近还设置有线圈240及进气管道等,空间有限,难以操作。
其次,在安装喷嘴230时,喷嘴支架100的卡钩150在进入顶盖220的环槽226时压力消失,快速回弹,极易损坏又脆又硬的顶盖220。
另外,喷嘴支架100为工程塑料,尽管有一定的弹性,但在高温环境下易老化,失去弹性压缩时断裂,顶盖220为成本较高的部件,其寿命直接影响机台的耗材成本。
因此,如何设计一种新型结构的喷嘴支架,以便于拆卸成为本领域亟待解决的技术问题。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种喷嘴支架、一种包括该喷嘴支架的工艺腔室以及一种包括该工艺腔室的半导体处理设备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造